申请/专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司

申请日：2021-12-23

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN114280078B

主分类号：G01N21/956

分类号：G01N21/956;G01N21/01;H01L21/66

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2022.04.22#实质审查的生效;2022.04.05#公开

摘要：单晶硅体内BMD的批量评价方法，选取不同氧含量的数个原始硅片；对数个原始硅片分别进行FTIR检测，获得每一原始硅片中心间隙氧的起始值；对每一个原始硅片采用相同的热处理工艺处理，得到处理硅片；对数个处理硅片分别进行FTIR检测，获得每一处理硅片中心间隙氧的剩余值；对数个处理硅片分别进行BMD检测，获得每一个处理硅片的BMD数值；对上述获得的中心间隙氧的起始值、中心间隙氧的剩余值、BMD数值的数据进行线性拟合，获得BMD个数与中心间隙氧的变化值的相关性公式，将待测试硅片通过FTIR检测待测试硅片的间隙氧的变化量，将间隙氧的变化量放入相关性公式中，得到BMD的数目。

主权项：1.一种单晶硅体内BMD的批量评价方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：选取不同氧含量的数个原始硅片；步骤二：对数个原始硅片分别进行FTIR检测，获得每一原始硅片中心间隙氧的起始值；步骤三：对每一个原始硅片采用相同的热处理工艺处理，得到处理硅片；所述步骤三之前还包括：预处理，所述预处理步骤具体为：将原始硅片以第一预定升温速率加热至第一预定温度，通入第一预定气体，反应第一预定时间，进行预处理，得到有致密薄膜的原始硅片，以隔绝原始硅片内部间隙氧元素、空位向外扩散的途径；再将有致密薄膜的原始硅片通入第二预定气体，保持第二预定时间，使原始硅片内部空位、间隙氧扩散均匀，得到经过预处理的原始硅片；步骤四：对数个处理硅片分别进行FTIR检测，获得每一处理硅片中心间隙氧的剩余值；步骤五：对数个处理硅片分别进行BMD检测，获得每一个处理硅片的BMD数值；步骤六：对上述获得的中心间隙氧的起始值、中心间隙氧的剩余值、BMD数值的数据进行线性拟合，获得BMD个数与中心间隙氧的变化值的相关性公式，以对待测硅片进行批量检测；BMD数目y与间隙氧变化值ΔO2的相关性公式：y=k（ΔO2）-b；其中k=5E+5~5E+10，b=-1E-11~1E11。

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权利要求：

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