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【发明授权】串行总线端接_维美德自动化有限公司_202210577747.8 

申请/专利权人:维美德自动化有限公司

申请日:2022-05-25

公开(公告)日:2024-04-16

公开(公告)号:CN115408319B

主分类号:G06F13/40

分类号:G06F13/40;G06F13/42

优先权:["20210526 FI 20215620"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.16#授权;2022.12.16#实质审查的生效;2022.11.29#公开

摘要:根据本发明的示例方面,提供了一种用于将电子通信模块10连接到串行数据总线的设备,该设备包括总线端接电路11,该总线端接电路11包括第一场效应晶体管FET20、第二FET30和端接电阻器40,该第一FET20包括第一二极管21,该第二FET30包括第二二极管31。端接电阻器连接到第一FET和第二FET的相应漏极端子。FET连接到控制线路50以激活用于端接总线的设备,并且适于将第一线路和第二线路连接到端接电阻器。总线端接电路适于响应于通过输入线路去激活总线的端接而防止将第一线路和第二线路连接到端接电阻器。

主权项:1.一种用于将电子通信模块10连接到串行数据总线的设备,其中,所述设备包括总线端接电路11,其特征在于,所述总线端接电路包括:-第一场效应晶体管20,包括第一二极管21或与第一二极管21耦接,-第二场效应晶体管30,包括第二二极管31或与第二二极管31耦接,以及-端接电阻器40,其中所述第一场效应晶体管的源极端子22连接到所述总线的第一线路2,所述第二场效应晶体管的源极端子32连接到所述总线的第二线路3,所述端接电阻器连接到所述第一场效应晶体管的漏极端子23和所述第二场效应晶体管的漏极端子33,所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管连接到控制线路50以激活用于端接所述总线的设备,并适于将所述第一线路和所述第二线路连接到所述端接电阻器,其中所述第一二极管适于在所述第一场效应晶体管的栅源电压低于阈值电压值而所述第一场效应晶体管的源极电压高于所述第一场效应晶体管的漏极电压时,将所述第一线路连接到所述端接电阻器,所述第二二极管适于在所述第二场效应晶体管的栅源电压低于阈值电压值而所述第二场效应晶体管的源极电压高于所述第二场效应晶体管的漏极电压时,将所述第二线路连接到所述端接电阻器,并且所述总线端接电路适于响应于通过所述控制线路来去激活所述总线的端接,防止将所述第一线路和所述第二线路连接到所述端接电阻器。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 维美德自动化有限公司 串行总线端接

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