申请/专利权人：中电科先进材料技术创新有限公司

申请日：2023-06-09

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN116516458B

主分类号：C25F3/12

分类号：C25F3/12;H01L21/3063;H01L29/167;B82Y30/00;B82Y40/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2023.08.18#实质审查的生效;2023.08.01#公开

摘要：本发明提供一种本征吸杂硅片的制备方法及本征吸杂硅片，该本征吸杂硅片的制备方法包括：将P型硅抛光片通过导线与直流电源的正极连接，将N型硅抛光片通过导线与直流电源的负极连接；分别将N型硅抛光片和P型硅抛光片浸入电解液中，并接通直流电源进行电化学腐蚀，在P型硅抛光片表面制备得到纳米多孔硅层；将制备有纳米多孔硅层的P型硅抛光片暴露在空气中，得到本征吸杂硅片。本发明在P型硅抛光片表面制备纳米多孔硅层，利用纳米多孔硅层的多孔结构，同时暴露在空气中形成致密的氧化层，从而形成良好的强吸杂中心，步骤简单，成本低，且纳米多孔硅层的孔隙的大小及密度好控制。

主权项：1.一种本征吸杂硅片的制备方法，其特征在于，包括：将P型硅抛光片通过导线与直流电源的正极连接，将N型硅抛光片通过导线与所述直流电源的负极连接；分别将所述N型硅抛光片和所述P型硅抛光片浸入电解液中，并接通所述直流电源进行电化学腐蚀，在所述P型硅抛光片表面制备得到纳米多孔硅层；将制备有纳米多孔硅层的P型硅抛光片暴露在空气中，得到本征吸杂硅片；对所述本征吸杂硅片进行外延生长，得到本征吸杂硅外延片；所述纳米多孔硅层的表面深度为1um~3um，所述纳米多孔硅层中孔隙的大小为10nm~30nm。

全文数据：

权利要求：

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