申请/专利权人：深圳市鸿展光电有限公司

申请日：2023-07-19

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN116936554B

主分类号：H01L25/075

分类号：H01L25/075;H01L21/67;H01L21/687

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2023.11.10#实质审查的生效;2023.10.24#公开

摘要：本发明公开了一种使用机械式转移技术制备MiniLED阵列的方法，包括下列步骤：步骤1、制备芯片；步骤2、切割芯片，将步骤1得到的芯片进行切割，切割采用纵横切割方式，激光行走为纵横方向，切割得到目标尺寸的单个MiniLED芯片；步骤3、目标基板蚀刻，在目标基板上按照目标阵列N1XN2进行蚀刻，横向蚀刻N1条，纵向蚀刻N2条；步骤4、拿取芯片，采用机械臂一次性拿取数量为P的单个MiniLED芯片；步骤5、放置芯片，将拿取的P个单个MiniLED芯片放置于目标基板上被蚀刻隔断的矩形区域，采用对角放置，至完成制作MiniLED阵列；该方法在机械式转移单个MiniLED芯片制作MiniLED阵列时，采用矩阵对角式转移，减少视觉监测识别次数，有效的提高MiniLED阵列制作效率。

主权项：1.一种使用机械式转移技术制备MiniLED阵列的方法，其特征在于，包括下列步骤：步骤1、制备芯片，具体操作步骤如下：步骤101：蓝宝石基板制备：选取目标蓝宝石基板，制作呈规格矩形，各表面打磨平整；步骤102：光刻工艺：将芯片图案形成在步骤101中的蓝宝石基板上，光刻胶在基板上涂覆成薄膜，然后使用光刻机将光刻胶曝光和显影，从而形成微米级别的芯片图案；步骤103：气相沉积技术：将各种材料沉积在芯片表面，气相沉积技术用于在芯片表面制作红、绿、蓝LED，将气态材料加热至高温后，通过化学反应生成所需的材料，然后在芯片表面沉积材料，形成LED结构；步骤104：金属化工艺：使用真空沉积或电子束蒸发技术将金属材料沉积在芯片表面，在LED芯片的正负极上分别沉积金属电极材料；步骤105、在最上层固定封装玻璃保护板；步骤106、将上述步骤105完成封装保护的芯片叠放，待用；步骤2、切割芯片，将步骤1得到的芯片进行切割，切割采用纵横切割方式，激光行走为纵横方向，切割得到目标尺寸的单个MiniLED芯片；步骤3、目标基板蚀刻，在目标基板上按照目标阵列N1×N2进行蚀刻，所述N1和N2均为大于或等于2的整数，横向蚀刻N1条，纵向蚀刻N2条，所述目标基板为玻璃板，根据所述步骤1中切割得到的单个MiniLED芯片尺寸nS1×nS2及目标所需阵列行列数量，横纵的方式蚀刻目标基板，使其隔断出单个MiniLED芯片的承载区域，承载区域与单个MiniLED芯片的尺寸一致；步骤4、拿取芯片，采用机械臂一次性拿取数量为P的单个MiniLED芯片，机械臂同时拿取数量为步骤2中N1与N2中数值小的数量值的单个MiniLED芯片；步骤5、放置芯片，将拿取的P个单个MiniLED芯片放置于目标基板上被蚀刻隔断的矩形区域，采用对角放置，至完成制作MiniLED阵列。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳市鸿展光电有限公司 一种使用机械式转移技术制备Mini LED阵列的方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD