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申请/专利权人：美高森美SOC公司
申请日：2018-11-30
公开（公告）日：2024-04-16
公开（公告）号：CN111433904B
主分类号：H01L21/8234
分类号：H01L21/8234;H01L27/088;H01L21/8238;H01L27/092
优先权：["20171204 US 62/594,349","20181101 US 16/177,715"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.04.16#授权;2020.08.11#实质审查的生效;2020.07.17#公开
摘要：本公开提供了一种集成电路，该集成电路包括多个低电压FinFET晶体管，该多个低电压FinFET晶体管各自具有沟道长度l和沟道宽度w，该低电压FinFET晶体管具有第一阈值电压沟道注入和第一栅极电介质厚度。该集成电路还包括多个高电压FinFET晶体管，该多个高电压FinFET晶体管各自具有沟道长度l和沟道宽度w，该高电压FinFET晶体管具有大于第一阈值电压沟道注入的第二阈值电压沟道注入和大于第一栅极电介质厚度的第二栅极电介质厚度。
主权项：1.一种集成电路，包括：多个低电压FinFET晶体管，所述多个低电压FinFET晶体管各自具有沟道长度l和沟道宽度w，所述低电压FinFET晶体管具有第一阈值电压沟道注入和第一栅极电介质厚度；和多个混合FinFET晶体管，所述多个混合FinFET晶体管各自具有沟道长度l和沟道宽度w，所述混合FinFET晶体管具有大于所述第一阈值电压沟道注入的第二阈值电压沟道注入和大于所述第一栅极电介质厚度的第二栅极电介质厚度，其中所述第一栅极电介质厚度和所述第二栅极电介质厚度通过以下操作来形成：在低电压FinFET晶体管和混合FinFET晶体管两者中的鳍片结构上方形成第一介电材料的第一层；在用于所述混合FinFET晶体管的所述第一介电材料的第一层上方施加栅极掩蔽层；从所述低电压FinFET晶体管的所述鳍片结构去除所述第一介电材料的第一层；去除所述栅极掩蔽层；在所述多个低电压FinFET晶体管和所述多个混合FinFET晶体管两者中的所述鳍片结构上方形成第一介电材料的第二层；以及在所有低电压和混合FinFET晶体管的所述鳍片结构上方形成第二介电材料的层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 美高森美SOC公司 混合高电压低电压FINFET器件
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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