申请/专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司

申请日：2022-09-09

公开（公告）日：2024-03-15

公开（公告）号：CN117712151A

主分类号：H01L29/417

分类号：H01L29/417;H01L21/336

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.02#实质审查的生效;2024.03.15#公开

摘要：本发明提供了一种FinFET器件的制造方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有的鳍片，鳍片上形成有栅极结构，在栅极结构两侧的鳍片中形成有源漏结构；在衬底上形成层间介质层，并在层间介质层中形成暴露源漏结构的第一开口；在第一开口中的源漏结构的表面形成非晶化层，并利用非晶化层形成金属硅化物层；形成第一介质层覆盖第一开口的侧壁，以剩余的第一开口作为第二开口；在第二开口中形成接触插塞。本发明中，在形成第一介质层之前形成金属硅化物层，且在形成金属硅化物层的过程中并无其他额外的热处理工艺或蚀刻工艺，从而避免因非晶化层的损失而导致所形成金属硅化物层在厚度或者面积上减小，以此减小金属硅化物层的接触电阻。

主权项：1.一种FinFET器件的制造方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有沿第一方向延伸的鳍片，所述鳍片上形成有沿第二方向延伸的栅极结构，在所述栅极结构两侧的鳍片中形成有源漏结构，所述第一方向与所述第二方向正交；在所述衬底上形成层间介质层，所述层间介质层填充至所述栅极结构的上方，并在所述层间介质层中形成暴露所述源漏结构的第一开口；在所述第一开口中的源漏结构的表面形成非晶化层，并利用所述非晶化层形成金属硅化物层；形成第一介质层覆盖所述第一开口的侧壁，以剩余的所述第一开口作为第二开口，所述第二开口的开口面积小于所述金属硅化物层的面积；以及，在所述第二开口中形成接触插塞，所述接触插塞位于所述金属硅化物上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 FinFET器件的制造方法

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