申请/专利权人：西安电子科技大学

申请日：2021-02-26

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN112836386B

主分类号：G06F30/20

分类号：G06F30/20

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2021.06.11#实质审查的生效;2021.05.25#公开

摘要：本发明公开了一种新型总剂量仿真方法及其与单粒子耦合仿真方法、装置，新型总剂量仿真方法包括：利用TCAD工具Sentaurus软件的SDE进行抗辐照器件建模得到用于抗辐照研究的三维器件结构，并利用修改参数文件激活Radiation模型；利用激活后的Radiation模型进行总剂量的仿真研究。本发明采用激活后的Radiation模型模拟总剂量TID效应，更加准确，因此对其与单粒子SEE的耦合研究也更加准确。

主权项：1.一种新型总剂量仿真方法，其特征在于，包括：利用TCAD工具Sentaurus软件的SDE进行抗辐照器件建模得到用于抗辐照研究的三维器件结构，并利用修改参数文件激活Radiation模型；其中，所述利用修改参数文件激活Radiation模型包括：针对BOX层使用“新型氧化物半导体材料”代替SiO2；将“新型氧化物半导体材料”的参数文件内容换成SiO2的参数文件内容；在第一Sdevice的Physics部分加入Radiation模型，以激活Radiation模型；利用激活后的Radiation模型进行总剂量的仿真研究。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安电子科技大学 新型总剂量仿真方法及其与单粒子耦合仿真方法、装置

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