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【发明授权】一种背接触电池及其制备方法和电池组件_金阳(泉州)新能源科技有限公司_202410077506.6 

申请/专利权人:金阳(泉州)新能源科技有限公司

申请日:2024-01-19

公开(公告)日:2024-04-16

公开(公告)号:CN117613117B

主分类号:H01L31/0224

分类号:H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18;H01L21/285

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.16#授权;2024.03.15#实质审查的生效;2024.02.27#公开

摘要:本发明属于背接触电池技术领域,具体涉及一种背接触电池及其制备方法和电池组件,背接触电池包括具有正面和背面的硅片,设置在背面且沿硅片的Y轴方向交替排布的第一半导体层和第二半导体层,还包括沿硅片的Z轴方向向外依次设置的硅合金层和金属导电层,所述硅合金层设置在所述第二半导体层的外表面并延伸至相邻的第一掺杂硅晶层的外表面;硅合金层的方块电阻为60‑100,且金属导电层的方块电阻为3‑50。本发明背接触电池无需额外设置透明导电膜层、细栅和主栅,制程更简单,同时无需使用到昂贵的低温银浆和透明导电膜层,大幅度降低电池的生产成本,同时保证了优异的电池转换效率。

主权项:1.一种背接触电池,包括具有正面和背面的硅片,设置在背面且沿硅片的Y轴方向交替排布的第一半导体层和第二半导体层,所述第一半导体层包括第一掺杂硅晶层,所述第二半导体层包括第二掺杂硅晶层,且所述第二半导体层的端部延伸至相邻的第一半导体层端部的外表面上以形成过渡区域,其特征在于,所述背接触电池还包括沿硅片的Z轴方向向外依次设置的硅合金层和不含硅的金属导电层,所述硅合金层设置在所述第二半导体层的外表面并延伸至相邻的第一掺杂硅晶层的外表面,且在与过渡区域对应的部分硅合金层及其对应金属导电层上开设有绝缘槽;其中,所述硅合金层含金属硅化物且硅合金层的方块电阻为60-100,且金属导电层的方块电阻为3-50;所述金属硅化物和所述金属导电层中各自所含的金属元素各自独立地包括镍、铝、铂、钴、钛、钨中的至少一种,所述金属硅化物和所述金属导电层中各自所含的金属元素相同。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 金阳(泉州)新能源科技有限公司 一种背接触电池及其制备方法和电池组件

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