申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2021-04-27

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN113192931B

主分类号：H01L23/544

分类号：H01L23/544;H01L21/66

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2021.08.17#实质审查的生效;2021.07.30#公开

摘要：本发明提供一种残留多晶硅监测结构、结构版图、方法及半导体器件，其将位于第二有源区上的金属条设置成条形，并使条形金属条横跨第一有源区。如此能够大大缩短金属条的边缘和残留多晶硅之间的距离。则在给条形金属条和多晶硅条施加电压时，金属条和多晶硅之间的侧墙更容易被击穿，二者间的电流更容易被检测到。以提高位于多晶硅条侧边的侧墙内的残留多晶硅的检出率，进而提升残留多晶硅监测结构的监测效果。

主权项：1.一种残留多晶硅监测结构，其特征在于，包括：具有有源区和浅沟道隔离结构的衬底、形成在所述衬底上的多晶硅条、条形金属条、侧墙和介质层，其中，所述有源区包括至少一个第一有源区和至少一个第二有源区，所述第一有源区和所述第二有源区相互垂直交叉，所述浅沟道隔离结构与所述第一有源区和所述第二有源区交替排布；所述条形金属条位于所述第二有源区上且横跨所述第一有源区，所述多晶硅条与所述条形金属条间隔平行设置，并横跨所述第一有源区和与所述第一有源区交替排布的所述浅沟道隔离结构，所述侧墙形成在所述多晶硅条侧边，并位于所述多晶硅条和所述条形金属条之间，所述介质层形成在所述衬底上，并至少位于所述有源区和所述多晶硅条之间；以及，所述金属条和所述多晶硅条用于被施加电压，以根据所述金属条和所述多晶硅条之间的电流大小，判断刻蚀形成所述多晶硅条后，位于所述多晶硅条侧边的所述侧墙内是否存在残留多晶硅。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 残留多晶硅监测结构、结构版图、方法及半导体器件

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