申请/专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司

申请日：2021-11-26

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN113990758B

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L29/78

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2022.02.18#实质审查的生效;2022.02.01#著录事项变更;2022.01.28#公开

摘要：本发明提供了一种鳍形态改善方法，包括在鳍结构的凹陷处填补氮化硅，在所述鳍结构暴露的表面上生长氧化硅，所述氮化硅能够对所述鳍结构凹陷处的硅起到保护作用，进而避免所述鳍结构凹陷处的硅被氧化，而所述鳍结构凹陷处之外的硅则会被氧化，填充氧化硅以完全包裹所述鳍结构以及填充满所述鳍结构之间的沟槽，然后进行退火处理，此时所述鳍结构凹陷处的氮化硅会起到保护作用，避免所述鳍结构凹陷处的硅被氧化，刻蚀所述氧化硅，以暴露部分所述鳍结构，去除了所述鳍结构侧壁突出的部分，从而提高了所述鳍结构垂直侧壁的平整度。

主权项：1.一种鳍形态改善方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：在鳍结构的凹陷处填补氮化硅，暴露所述鳍结构的凹陷处之外的表面；S2：在所述鳍结构暴露的表面上生长氧化硅；S3：填充氧化硅以完全包裹所述鳍结构以及填充满所述鳍结构之间的沟槽，然后进行退火处理；S4：刻蚀所述氧化硅，以暴露部分所述鳍结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 鳍形态改善方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD