申请/专利权人：浙江研煌科技有限公司

申请日：2023-09-11

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN220798257U

主分类号：H03K19/0185

分类号：H03K19/0185;H03K19/003

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权

摘要：本实用新型公开了工作频段可数字控制的分支线耦合器，端口1与M3源极、M1漏极、C1正端连接V1；M3栅极与R3负端相连；R3正端与端口5相连；M3漏极与L3正端相连；L3负端与M4漏极相连；M4栅极与R4正端相连；R4负端与端口6相连；M1源极与L1正端相连；M1栅极与R1负端相连；R1正端与R2正端、端口9连接V5；端口2与L1负端、M4源极、C2正端连接V2；端口3与L2负端、C2负端、M6源极连接V3；M2源极与L2正端相连；M6栅极与R6正端相连；R6负端与端口7相连；M2栅极与R2负端相连；M5漏极与L4正端相连；M5栅极与R5负端相连；R5正端与端口8相连；本申请设计了工作频段可数字控制的分支线耦合器，实现工作频率的数字控制，能工作在不同的频率下。

主权项：1.工作频段可数字控制的分支线耦合器，其特征在于：端口1、三号FET管M3的源极、一号FET管M1的漏极和第一电容C1的正端均连接到V1；三号FET管M3的栅极与第三电阻R3的负端相连，第三电阻R3的正端与端口5相连；三号FET管M3的漏极与三号电感L3的正端相连，三号电感L3的负端与四号FET管M4的漏极相连；四号FET管M4的栅极与第四电阻R4的正端相连，第四电阻R4的负端与端口6相连；一号FET管M1的源极与一号电感L1的正端相连，一号FET管M1的栅极与第一电阻R1的负端相连；第一电阻R1的正端、第二电阻R2的正端和端口9均连接到V5；端口2、一号电感L1的负端、四号FET管M4的源极和第二电容C2的正端均连接到V2；端口3、二号电感L2的负端、第二电容C2的负端和六号FET管M6的源极均连接到V3；二号FET管M2的源极与二号电感L2的正端相连，二号FET管M2的栅极与第二电阻R2的负端相连；六号FET管M6的栅极与第六电阻R6的正端相连，第六电阻R6的负端与端口7相连；五号FET管M5的漏极与四号电感L4的正端相连，五号FET管M5的栅极与第五电阻R5的负端相连，第五电阻R5的正端与端口8相连；端口4、五号FET管M5的源极、二号FET管M2的漏极和第一电容C1的负端均连接到V4；所述一号FET管M1、二号FET管M2、三号FET管M3、四号FET管M4、五号FET管M5和六号FET管M6均为砷化镓半导体化合物pHEMT工艺下的N型增强型FET管；所述端口1为分支线耦合器的输入端，端口2为分支线耦合器的直通端，端口3为分支线耦合器的耦合端，端口4为分支线耦合器的隔离端。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江研煌科技有限公司 工作频段可数字控制的分支线耦合器

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