申请/专利权人：浙江研煌科技有限公司

申请日：2023-09-11

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN220798225U

主分类号：H03F1/26

分类号：H03F1/26;H03F1/34

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权

摘要：本实用新型公开了工作频段可数字控制负反馈低噪声放大器，RFin与L1正端、C0正端连接V0；L1负端连接GND；C0负端与L2正端、C1正端连接V1；L2负端连接GND；C1负端与L3负端、R1正端、M1栅极连接V2；L3正端与C2负端、VG连接V3；C2负端连接GND；R1正端与M2源极连接；M2栅极与R2负极相连；R2正极与VC相连；M2漏极与L4正端相连；M1源极与L8正端相连；L1负端与GND相连；M1漏极与L4负端、L5负端、C5正端连接V5；L5正端与C4负端、VD连接V4；C4正端连接到GND；C5负端与L6正端、C6正端连接V6；L6负端连接GND；C6负端与L7正端、C7正端连接V7；L7负端连接GND；C7负端连接RFout；本申请通过数字信号控制，不牺牲性能前提下，可切换低噪声放大器的工作频率，实现接收不同频率的信号。

主权项：1.工作频段可数字控制的负反馈低噪声放大器，其特征在于：射频输入端RFin、一号电感L1的正端和第零电容C0的正端均连接到V0；一号电感L1的负端连接到GND；第零电容C0的负端、二号电感L2的正端和第一电容C1的正端均连接到V1；二号电感L2的负端连接到GND；第一电容C1的负端、三号电感L3的负端、第一电阻R1的正端和一号效应管M1的栅极均连接到V2；三号电感L3的正端、第二电容C2的负端和栅极偏置电压输入端VG均连接到V3；第二电容C2的负端连接到GND；第一电阻R1的正端与二号效应管M2的源极连接；二号效应管M2的栅极与第二电阻R2的负极相连；第二电阻R2的正极与电路控制电压使能端VC相连；二号效应管M2的漏极与四号电感L4的正端相连；一号效应管M1的源极与八号电感L8的正端相连；一号电感L1的负端与GND相连；一号效应管M1的漏极、四号电感L4的负端、五号电感L5的负端和第五电容C5的正端均连接到V5；五号电感L5的正端、第四电容C4的负端和漏极偏置电压输入端VD均连接到V4；第四电容C4的正端连接到GND；第五电容C5的负端、六号电感L6的正端和第六电容C6的正端均连接到V6；六号电感L6的负端连接到GND；第六电容C6的负端、七号电感L7的正端和第七电容C7的正端均连接带V7；七号电感L7的负端连接到GND；第七电容C7的负端连接到射频输出端RFout；所述一号效应管M1和二号效应管M2均为砷化镓半导体化合物pHEMT工艺下的N型增强型场效应管；所述一号效应管M1为低噪声放大器晶体管，二号效应管M2为开关晶体管。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江研煌科技有限公司 工作频段可数字控制的负反馈低噪声放大器

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