申请/专利权人：中国科学院微电子研究所;北京知识产权运营管理有限公司

申请日：2023-12-13

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN117913120A

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开

摘要：本发明涉及一种空气内侧墙堆叠纳米片环栅晶体管及制备方法。空气内侧墙堆叠纳米片环栅晶体管包括：表面具有浅沟槽隔离结构的衬底；设置于所述衬底上方的纳米片堆栈部，其中，所述纳米片堆栈部包括多个纳米片形成的叠层，所述纳米片形成的叠层构成多个导电沟道；环绕式栅极，其环绕所述纳米片堆栈部；源漏区，位于所述纳米片堆栈部的相对的两侧，所述源漏区与环绕式栅极之间设置有侧墙；所述侧墙内部含有多个空腔。本发明具有空腔的侧墙，这样以空气替代部分固态介电材料，大幅降低了器件的寄生电容，并且工艺简单。

主权项：1.一种空气内侧墙堆叠纳米片环栅晶体管，其特征在于，包括：表面具有浅沟槽隔离结构的衬底；设置于所述衬底上方的纳米片堆栈部，其中，所述纳米片堆栈部包括多个纳米片形成的叠层，所述纳米片形成的叠层构成多个导电沟道；环绕式栅极，其环绕所述纳米片堆栈部；源漏区，位于所述纳米片堆栈部的相对的两侧，所述源漏区与环绕式栅极之间设置有侧墙；所述侧墙内部含有多个空腔。

全文数据：

权利要求：

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