申请/专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所

申请日：2024-01-17

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN117913115A

主分类号：H01L27/146

分类号：H01L27/146

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开

摘要：本发明涉及一种正照式硅基雪崩二极管阵列结构，包括：电路板和多个方形硅基雪崩二极管正照芯片；所述多个方形硅基雪崩二极管正照芯片分别通过导电胶贴装在电路板上形成硅基雪崩二极管阵列结构，其中，方形硅基雪崩二极管正照芯片的背面金属电极和电路板上的加电电极由导电胶进行导通；每个方形硅基雪崩二极管正照芯片的4个边角处设置14通孔结构区；任意4个方形硅基雪崩二极管正照芯片组成的方形阵列的中心由4个方形硅基雪崩二极管正照芯片的14通孔结构区组成通孔结构；所述通孔结构与电路板上的信号电极相对应；所述方形硅基雪崩二极管正照芯片的正面电极利用金引线穿过所述通孔结构与电路板上的信号电极连接，用于导出芯片的电信号。

主权项：1.一种正照式硅基雪崩二极管阵列结构，其特征在于，包括：电路板200和多个方形硅基雪崩二极管正照芯片100；所述多个方形硅基雪崩二极管正照芯片100分别通过导电胶301贴装在电路板200上形成硅基雪崩二极管阵列结构，其中，方形硅基雪崩二极管正照芯片100的背面金属电极110和电路板200上的加电电极202由导电胶301进行导通，用于对方形硅基雪崩二极管正照芯片100施加电压；每个方形硅基雪崩二极管正照芯片100的4个边角处设置有14通孔结构区112；任意4个方形硅基雪崩二极管正照芯片100组成的方形阵列的中心由4个方形硅基雪崩二极管正照芯片100的14通孔结构区112组成通孔结构113；所述通孔结构113与电路板200上的信号电极201相对应；所述方形硅基雪崩二极管正照芯片100的正面金属电极108利用金引线302穿过所述通孔结构113与电路板200上的信号电极201连接，用于导出芯片的电信号。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子科技集团公司第四十四研究所 一种正照式硅基雪崩二极管阵列结构

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