申请/专利权人：安徽格恩半导体有限公司

申请日：2024-01-05

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN117913663A

主分类号：H01S5/34

分类号：H01S5/34

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开

摘要：本发明公开了一种具有拓扑线性色散层的半导体紫外激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，该半导体紫外激光元件从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层，下限制层与下波导层之间设置有第一子拓扑线性色散层，上限制层与上波导层之间设置有第二子拓扑线性色散层，使得第一子拓扑线性色散层和第二子拓扑线性色散层形成朗道能级，能够降低未电离的Mg受主杂质的比例，降低光吸收损耗，抑制上波导层的折射率色散，提升限制因子和模式增益均匀性，同时，形成无质量的费米子，产生回旋共振和多体相互作用，调控自旋密度波相变，抑制下波导层的光场耗散，改善远场图像，改善半导体紫外激光元件的光束质量因子。

主权项：1.一种具有拓扑线性色散层的半导体紫外激光元件，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层，其特征在于，所述下限制层与所述下波导层之间设置有第一子拓扑线性色散层，所述上限制层与所述上波导层之间设置有第二子拓扑线性色散层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 安徽格恩半导体有限公司 一种具有拓扑线性色散层的半导体紫外激光元件

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