申请/专利权人：安徽大学

申请日：2024-01-08

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN117913173A

主分类号：H01L31/107

分类号：H01L31/107;H01L31/0304

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开

摘要：本发明属于日盲紫外探测器技术领域，具体涉及一种AlGaN单极势垒型nBn结构日盲紫外光电探测器，包括依次层叠生长的衬底层、缓冲层、接触层、势垒层、和吸收层，接触层和吸收层上均设有欧姆接触电极；所述衬底层采用蓝宝石或氧化铝或碳化硅，所述缓冲层采用AlN或Al2O3，所述接触层采用GaN或AlGaN，所述势垒层采用AlN，所述吸收层采用采用AlGaN或GaN，接触层和吸收层位置可交换，接触层和吸收层均为N型掺杂，非P型掺杂；其中，接触层、势垒层以及吸收层形成AlGaNAlNGaN单极势垒异质结，通过合理调控AlN势垒层的厚度以及AlGaN的组分，实现能带结构中大的导带偏移ΔEc以及较小的价带偏移ΔEv，与传统n‑n同型异质结光电探测器相比，可以更好的抑制暗电流，提高雪崩增益因子。

主权项：1.一种AlGaN单极势垒nBn结构日盲紫外光电探测器，其特征在于，包括依次层叠生长的衬底层1、缓冲层2、接触层3、势垒层4、和吸收层5，接触层3和吸收层5上均设有欧姆接触电极6；所述衬底层1采用蓝宝石或氧化铝或碳化硅，所述缓冲层2采用AlN或Al2O3，所述接触层3采用GaN或AlGaN，所述势垒层4采用AlN，所述吸收层5采用AlGaN或GaN，接触层3和吸收层5位置可交换，接触层3和吸收层5均为N型掺杂，非P型掺杂；其中，接触层3、势垒层4以及吸收层5形成AlGaNAlNGaN单极势垒异质结，通过调控所述势垒层4的厚度以及AlGaN的组分，以减少光电探测器暗电流，提高倍增增益。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 安徽大学 一种AlGaN单极势垒nBn结构日盲紫外光电探测器

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