申请/专利权人：之江实验室

申请日：2023-04-03

公开（公告）日：2023-07-04

公开（公告）号：CN116377407A

主分类号：C23C14/35

分类号：C23C14/35;C23C14/06;C23C14/54;B82Y30/00;B82Y40/00;H01B12/06;B82Y15/00;G01K7/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.08.29#授权;2023.07.21#实质审查的生效;2023.07.04#公开

摘要：本发明公开了一种低应力NbN超导薄膜及其制备方法和应用，包括以下步骤：提供金属Nb靶材和Si基衬底，固定Si基衬底温度为室温，并在室温条件下，调节N2和Ar质量流量比为20％～50％，溅射功率为50W～400W，沉积气压为3.0mTorr～10.0mTorr，在Si基衬底上沉积得到应力范围为‑500MPa～500MPa、厚度为70～150nm的NbN超导薄膜。通过对N2和Ar质量流量比、溅射功率以及沉积气压这三个参数的协同控制，即可以简单高效制备得到低应力NbN超导薄膜，制备得到的NbN超导薄膜应力范围满足超导动态电感探测器的制备需求，可批量工业化生产。

主权项：1.一种低应力NbN超导薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供金属Nb靶材和Si基衬底，固定Si基衬底温度为室温，并在室温条件下，调节N2和Ar质量流量比为20％～50％，溅射功率为50W～400W，沉积气压为3.0mTorr～10.0mTorr，在Si基衬底上沉积得到应力范围为-500MPa～500MPa、厚度为70～150nm的NbN超导薄膜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 之江实验室 一种低应力NbN超导薄膜及其制备方法和应用

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