申请/专利权人：上海师范大学

申请日：2023-08-29

公开（公告）日：2023-10-31

公开（公告）号：CN116981343A

主分类号：H10N60/80

分类号：H10N60/80;H10N60/85;H10N60/01

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.11.17#实质审查的生效;2023.10.31#公开

摘要：本发明涉及一种具有双缓冲层的NbN薄膜、超导隧道结及其制备方法与应用。本发明在Si衬底上制备了MgO和NbTiN双缓冲层，并在缓冲层上制备得到了NbN薄膜。随后在NbN薄膜上依次制备势垒层和NbN超导层，紫外光刻和反应离子刻蚀结合定义超导隧道结的结区，制备绝缘隔离层和引线层，最终得到了高质量的NbN超导隧道结。与现有技术相比，本发明通过在Si衬底上设置晶格参数渐变的双缓冲层，减缓了Si与NbN晶格不匹配造成的缺陷，从而制备得到了具有高超导转变温度的NbN薄膜和高临界电流密度的超导隧道结，提高NbN混频器天文探测信号的收集效率。

主权项：1.一种具有双缓冲层的NbN薄膜，制备于Si衬底上，其特征在于，包括依次沉积在Si衬底上的MgO缓冲层，NbTiN缓冲层和NbN超导层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海师范大学 一种具有双缓冲层的NbN薄膜、超导隧道结及其制备方法与应用

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