申请/专利权人：昆明物理研究所

申请日：2021-11-15

公开（公告）日：2023-05-16

公开（公告）号：CN116130544A

主分类号：H01L31/109

分类号：H01L31/109;H01L31/0304;H01L31/18

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.06.02#实质审查的生效;2023.05.16#公开

摘要：本发明涉及一种倒置3μm～4.2μmnBn型InAsSb红外探测器材料及其制备方法，属于光电子材料与器件技术领域。所述材料的结构从上向下依次为顶电极接触层、吸收层、势垒层、底电极接触层、缓冲层和衬底；采用分子术外延法制备得到。所述材料采用倒置nBn结构，在不增大器件表面漏电流的情况下有效减小器件横向扩散电流，进而降低器件暗电流；所述材料通过设定其中Sb组分的组成，保证吸收波长处于大气窗口的3μm～4.2μm红外中波段；所述材料势垒层采用非故意掺杂AlAs0.08Sb0.92单晶作为材料，构成导带势垒来阻止多数载流子的导电，不存在耗尽区的产生‑复合电流和带间隧穿电流。

主权项：1.一种倒置3μm～4.2μmnBn型InAsSb红外探测器材料，其特征在于：所述材料的结构从上向下依次为顶电极接触层1、吸收层2、势垒层3、底电极接触层4、缓冲层5和衬底6；顶电极接触层1的材料为掺杂硅Si的n型InAs0.91Sb0.09单晶；吸收层2的材料为非故意掺杂的InAs0.91Sb0.09单晶；势垒层3的材料为非故意掺杂AlAs0.08Sb0.92单晶；底电极接触层4的材料为掺杂Si的n型InAs0.91Sb0.09单晶；缓冲层5的材料为非故意掺杂的GaSb；衬底6的材料为掺杂碲Te的n型GaSb。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 昆明物理研究所 一种倒置3μm~4.2μm nBn型InAsSb红外探测器材料及其制备方法

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