申请/专利权人：东京毅力科创株式会社

申请日：2022-08-25

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN117916672A

主分类号：G03F7/36

分类号：G03F7/36;G03F7/32;G03F7/20;G03F7/40;H01L21/027

优先权：["20210915 US 63/244,309"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.19#公开

摘要：一种微制造方法包括在半导体晶片的工作表面上沉积光致抗蚀剂膜，该光致抗蚀剂膜对极紫外辐射敏感；将该光致抗蚀剂膜暴露于极紫外辐射模式；对该光致抗蚀剂膜进行混合显影。该混合显影包括执行第一显影工艺以去除该光致抗蚀剂膜的第一部分；在该第一显影工艺之后停止该光致抗蚀剂膜的显影，停止后该光致抗蚀剂膜包括具有比目标临界尺寸大的第一临界尺寸的结构；以及在停止该显影之后，执行第二显影工艺以去除该光致抗蚀剂膜的第二部分并且使该结构的临界尺寸从该第一临界尺寸缩小到比该第一临界尺寸小的第二临界尺寸。

主权项：1.一种微制造方法，该方法包括：在半导体晶片的工作表面上沉积光致抗蚀剂膜，该光致抗蚀剂膜对极紫外辐射敏感；将该光致抗蚀剂膜暴露于极紫外辐射模式；对该光致抗蚀剂膜进行混合显影，该混合显影包括：执行第一显影工艺以去除该光致抗蚀剂膜的第一部分；在该第一显影工艺之后停止该光致抗蚀剂膜的显影，停止后该光致抗蚀剂膜包括具有比目标临界尺寸大的第一临界尺寸的结构；以及在停止该显影之后，执行第二显影工艺以去除该光致抗蚀剂膜的第二部分并且使该结构的临界尺寸从该第一临界尺寸缩小到比该第一临界尺寸小的第二临界尺寸。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东京毅力科创株式会社 EUV抗蚀剂的混合显影

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD