申请/专利权人：浙江欣芯微机电制造有限公司

申请日：2023-12-21

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN117902548A

主分类号：B81C1/00

分类号：B81C1/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开

摘要：本申请提供一种MEMS高深宽比结构的形成方法，包括：提供硅片；刻蚀所述硅片，形成第一凹槽；在所述硅片表面形成预设厚度的氧化层，所述氧化层至少覆盖所述第一凹槽的侧壁；在所述硅片表面沉积填充材料，形成至少填充满所述第一凹槽的填充结构；去除所述氧化层，释放出所述填充结构，形成第二凹槽，所述第二凹槽以所述填充结构的侧壁、所述第一凹槽的侧壁为侧壁。本申请可以实现极小间隙高深宽比结构，同时可以精确控制小间隙尺寸。

主权项：1.一种MEMS高深宽比结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供硅片；刻蚀所述硅片，形成第一凹槽；在所述硅片表面形成预设厚度的氧化层，所述氧化层至少覆盖所述第一凹槽的侧壁；在所述硅片表面沉积填充材料，形成至少填充满所述第一凹槽的填充结构；去除所述氧化层，释放出所述填充结构，形成第二凹槽，所述第二凹槽以所述填充结构的侧壁、所述第一凹槽的侧壁为侧壁。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江欣芯微机电制造有限公司 MEMS高深宽比结构的形成方法

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