申请/专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所

申请日：2023-12-15

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN117912960A

主分类号：H01L21/48

分类号：H01L21/48;H01L23/498;C25D5/10;C25D7/00;C04B41/88

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开

摘要：本发明提供一种直接镀铜陶瓷基板及其制备方法，该方法包括：在设有通孔的陶瓷基板的表面及通孔侧壁溅射第一种子层；基于第一种子层，对陶瓷基板的表面及通孔侧壁进行电镀铜，填充通孔得到铜通孔；去除陶瓷基板表面的电镀铜及第一种子层，得到去镀层的陶瓷基板；在陶瓷基板去镀层的表面及对应的铜通孔的端面溅射第二种子层；在第二种子层的表面进行图形化电镀，制备得到直接镀铜陶瓷基板。本发明一方面，第二种子层可完全封堵通孔的两端，确保铜填充通孔的气密性。另一方面，通孔两端的第二种子层在陶瓷基板表面连续无间断，承受拉应力时整个第二种子层表面均匀分散拉应力，避免单点所受应力过大导致开裂，进一步确保了铜填充通孔的气密性。

主权项：1.一种直接镀铜陶瓷基板制备方法，其特征在于，包括：在设有通孔的陶瓷基板的表面及通孔侧壁溅射第一种子层；基于所述第一种子层，对所述陶瓷基板的表面及通孔侧壁进行电镀铜，填充所述通孔得到铜通孔；去除陶瓷基板表面的电镀铜及第一种子层，得到去镀层的陶瓷基板；在所述陶瓷基板去镀层的表面及对应的所述铜通孔的端面溅射第二种子层；在所述第二种子层的表面进行图形化电镀，制备得到直接镀铜陶瓷基板。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子科技集团公司第十三研究所 一种直接镀铜陶瓷基板及其制备方法

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