申请/专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司

申请日：2022-11-14

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN115911199B

主分类号：H01L33/06

分类号：H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.19#授权;2023.04.21#实质审查的生效;2023.04.04#公开

摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，尤其是涉及一种发光二极管外延结构及发光二极管。发光二极管外延结构，包括：衬底，以及顺次设置于所述衬底上的N型半导体层、有源层和P型半导体层；有源层包括交替层叠设置的量子阱层和量子垒层，至少一个所述量子垒层为复合结构层；复合结构层包括一个或多个复合结构子层；复合结构子层包括层叠设置的未掺杂的氮化镓层、掺杂硼的氮化镓层和P型掺杂的氮化铝镓层。本发明的有源层中的量子垒层使用GaNB‑GaNP‑AlGaN超晶格方式，可以抑制电子溢流，并减小量子垒层与电子阻挡层之间的晶格失配度；同时，可以有效提升空穴的注入质量，进一步改善电子空穴的辐射复合效率，提升LED的发光效率。

主权项：1.发光二极管外延结构，其特征在于，包括：衬底，以及顺次设置于所述衬底上的N型半导体层、有源层和P型半导体层；所述有源层包括交替层叠设置的量子阱层和量子垒层，其中至少一个所述量子垒层为复合结构层；所述复合结构层包括一个或多个复合结构子层；所述复合结构子层包括层叠设置的未掺杂的氮化镓层、掺杂硼的氮化镓层和P型掺杂的氮化铝镓层；所述掺杂硼的氮化镓层中，硼的含量以摩尔比值计为0.05~0.5；定义从所述N型半导体层到所述P型半导体层的方向为第一方向；单个所述复合结构层中，所述掺杂硼的氮化镓层中的硼含量沿所述第一方向上逐渐增加。

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