申请/专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司

申请日：2024-01-16

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN117577676B

主分类号：H01L29/739

分类号：H01L29/739;H01L29/06;H01L29/36

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.19#授权;2024.03.08#实质审查的生效;2024.02.20#公开

摘要：本申请实施例提供了一种IGBT器件，包括：第一掺杂类型的漂移区；形成在所述漂移区内沿横向方向间隔设置的多个第二掺杂类型的柱区；第一掺杂类型的过渡层，连接在所述柱区之下；其中，所述过渡层的厚度大于2微米小于等于11微米，所述过渡层的掺杂浓度的取值范围为大于等于2.4×1014cm3小于等于2.4×1016cm3。本申请实施例解决了传统的SJ‑IGBT器件在关断阶段的拖尾电流导致关断能量损耗较大的技术问题。

主权项：1.一种IGBT器件，其特征在于，包括：第一掺杂类型的漂移区（7）；形成在所述漂移区（7）内沿横向方向间隔设置的多个第二掺杂类型的柱区（6）；第一掺杂类型的过渡层，连接在所述柱区（6）之下；其中，所述过渡层的厚度大于2微米小于等于11微米，所述过渡层的掺杂浓度的取值范围为大于等于2.4×1014cm3小于等于2.4×1016cm3；所述过渡层包括：第一过渡层（8-1），连接在所述柱区（6）之下，所述第一过渡层（8-1）厚度的取值范围为大于0微米小于等于2微米；所述第一过渡层（8-1）的掺杂浓度的取值范围为大于等于2.4×1014cm3小于等于2.4×1016cm3；第二过渡层（8-2），连接在所述第一过渡层（8-1）之下；其中，所述第二过渡层（8-2）厚度的取值范围为小于等于9微米；所述第二过渡层（8-2）的掺杂浓度的取值范围为大于等于2.4×1014cm3小于等于2.4×1016cm3；第一过渡层（8-1）和第二过渡层（8-2）的分界面是IGBT器件在关断阶段形成耗尽区的交界面，耗尽区位于第一过渡层（8-1）且未进入第二过渡层（8-2），使得在IGBT器件在关断阶段，形成的耗尽区的边缘为第一过渡层（8-1）和第二过渡层（8-2）的分界面，第一过渡层（8-1）的载流子被耗尽。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州华太电子技术股份有限公司 一种IGBT器件

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