申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请日：2020-06-24

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN113835293B

主分类号：G03F1/36

分类号：G03F1/36;G03F7/20

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.19#授权;2022.01.11#实质审查的生效;2021.12.24#公开

摘要：一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法，其中光学邻近修正方法包括：提供目标图形；根据若干经验规则，分别对所述目标图形进行模拟修正，获取与各经验规则对应的模拟修正图形；根据若干模拟修正图形，获取参考经验规则；根据所述参考经验规则，对所述目标图形进行所述第一修正处理，获取第一目标修正图形；对所述第一目标修正图形进行第二修正处理，获取第二目标修正图形，所述第二目标修正图形的第一边缘放置误差在预设范围之内。所述方法能够有效提升光学邻近修正后的图形效果。

主权项：1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：提供目标图形；根据若干经验规则，分别对所述目标图形进行模拟修正，包括分别对所述目标图形的边缘进行偏移处理，获取与各经验规则对应的模拟偏移图形；分别对各模拟偏移图形进行模拟曝光，获取与各经验规则对应的模拟修正图形；根据若干模拟修正图形，获取参考经验规则，包括获取各模拟修正图形的第二边缘放置误差；获取若干第二边缘放置误差中的最小值；将所述最小值对应的模拟修正图形作为参考图形；将所述参考图形对应的经验规则作为参考经验规则；根据所述参考经验规则，对所述目标图形进行第一修正处理，获取第一目标修正图形；对所述第一目标修正图形进行第二修正处理，包括根据各经验规则进行N次偏移，获取N个偏移量X、以及与各经验规则对应的N个模拟修正图形的位置信息CX；根据N个偏移量X和N个位置信息CX，获取修正系数dcdx， C0表示偏移量为0时的模拟修正图形的位置信息，C3表示根据经验规则，偏移量X为奈奎斯特值3的模拟修正图形的位置信息，C6表示根据经验规则，偏移量X为奈奎斯特值6的模拟修正图形的位置信息，C12表示根据经验规则，偏移量X为奈奎斯特值12的模拟修正图形的位置信息；根据修正系数dcdx，得到第二修正模型为， Xi表示第二修正处理中的第i次光学邻近修正的偏移量，Ci-1-T表示第二修正处理中进行的第i-1次光学邻近修正的第三边缘放置误差，T表示目标图形的位置信息；根据所述第二修正模型，对所述第一目标修正图形进行多次光学邻近修正迭代；获取第二目标修正图形，所述第二目标修正图形的第一边缘放置误差在预设范围之内。

全文数据：

权利要求：

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