申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

申请日：2022-10-14

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117930579A

主分类号：G03F1/36

分类号：G03F1/36;G03F7/20

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：一种光学邻近修正方法，包括：提供设计图层，设计图层包括第一设计图形和第二设计图形；根据设计图层获取辅助图层，辅助图层包括第一辅助图形和第二辅助图形；根据设计图层获取初始目标图层，初始目标图层包括初始第一目标图形和初始第二目标图形；以辅助图层为参考，对初始目标图层进行修正处理并获取目标图层，目标图层包括与第一设计图形和第二设计图形相对应的第一目标图形和第二目标图形。通过在第一目标图形和第二目标图形之间增加两列辅助图形，即第一辅助图形和第二辅助图形，在后续的曝光处理中提升对曝光转移至光刻胶层的图形稳定性，减小光刻胶层上的图形倒塌风险。

主权项：1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：提供设计图层，所述设计图层包括沿第一方向平行排布的第一设计图形和第二设计图形，所述第一设计图形和所述第二设计图形之间具有第一间距尺寸；根据所述设计图层获取辅助图层，所述辅助图层包括沿所述第一方向平行排布的第一辅助图形和第二辅助图形，所述第一辅助图形和所述第二辅助图形位于所述第一设计图形和所述第二设计图形之间；根据所述设计图层获取初始目标图层，所述初始目标图层包括与所述第一设计图形和所述第二设计图形相对应的初始第一目标图形和初始第二目标图形，所述初始第一目标图形和所述初始第二目标图形之间具有第二间距尺寸，所述第一间距尺寸大于所述第二间距尺寸；以所述辅助图层为参考，对所述初始目标图层进行修正处理并获取目标图层，所述目标图层包括与所述第一设计图形和所述第二设计图形相对应的第一目标图形和第二目标图形，所述第一辅助图形和所述第二辅助图形位于所述第一目标图形和所述第二目标图形之间，所述第一目标图形和所述第二目标图形之间具有第三间距尺寸，所述第三间距尺寸大于所述第二间距尺寸。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光学邻近修正方法

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