申请/专利权人：中国科学院半导体研究所

申请日：2024-01-18

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN117936617A

主分类号：H01L31/101

分类号：H01L31/101;H01L31/032;H01L31/18

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本公开提供了一种基于二维半导体异质结的日盲紫外探测器及其制备方法，该日盲紫外探测器包括：二维半导体异质结，由两种低维半导体材料堆叠而成；两个电极，设于二维半导体异质结两端，分别接触两种低维半导体材料；其中，两种低维半导体材料的能带结构交错排布，且两种低维半导体材料中的至少一种低维半导体材料进行掺杂调控，使二维半导体异质结获得日盲紫外响应的载流子跃迁通道。该日盲紫外探测器选择合适的低维半导体材料来构筑异质结，通过对低维半导体材料进行掺杂调控最终实现日盲紫外探测，无需对器件的结构进行复杂的设计，避免了复杂的工艺流程，适用于大批量构筑高质量的日盲紫外光电探测器，具有广泛的应用前景。

主权项：1.一种基于二维半导体异质结的日盲紫外探测器，其特征在于，包括：二维半导体异质结，由两种低维半导体材料堆叠而成，所述两种低维半导体材料为一维半导体材料或二维半导体材料；两个电极，设于所述二维半导体异质结两端，分别接触所述两种低维半导体材料；其中，所述两种低维半导体材料的能带结构交错排布，且所述两种低维半导体材料中的至少一种低维半导体材料进行掺杂调控，使所述二维半导体异质结获得能够实现日盲紫外响应的载流子跃迁通道。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院半导体研究所 基于二维半导体异质结的日盲紫外探测器及其制备方法

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