申请/专利权人：北京大学

申请日：2020-05-29

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN113745075B

主分类号：H01J3/02

分类号：H01J3/02;H01J9/02

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权;2021.12.21#实质审查的生效;2021.12.03#公开

摘要：本申请公开了一种片上微型电子源及其制造方法、电子源系统、电子设备，其中片上微型电子源可以包括衬底，衬底上形成有驱动电极对，驱动电极对存在间隙，间隙中形成有导体盘和电子隧穿结，电子隧穿结由阻变材料层发生软击穿形成，导体盘与电子隧穿结中的导电区域接触，驱动电极对用于驱动电子隧穿结发出电子束。这样，在电子隧穿结中的导电区域的导体盘，可以在对阻变材料层进行软击穿形成电子隧穿结时表面出现等电势，因此在一定程度上缩短了需要击穿的阻变材料层的宽度，相比于未形成有导体盘的器件而言，需要更小的驱动的电压，且降低了对驱动电极对的间隙的工艺要求。

主权项：1.一种片上微型电子源，其特征在于，包括：衬底；所述衬底上的驱动电极对，所述驱动电极对存在间隙；所述间隙中形成有导体盘和电子隧穿结，所述电子隧穿结由阻变材料层发生软击穿形成，所述导体盘与所述电子隧穿结的导电区域接触，所述驱动电极对用于驱动所述电子隧穿结发出电子束；所述驱动电极对的所述间隙中形成有所述阻变材料层，所述阻变材料层和所述驱动电极对位于同一层，或，所述阻变材料层覆盖所述衬底并且所述阻变材料层将所述衬底和所述驱动电极对隔离开；所述电子隧穿结依次包括连接的第一导电区域、绝缘区域和第二导电区域，所述第一导电区域和第一驱动电极连接，所述第二导电区域和第二驱动电极连接，通过所述驱动电极对所述阻变材料层施加电压进行软击穿，在所述阻变材料层内形成横穿整个间隙的导电细丝，所述阻变材料层由绝缘态转变为导电态，继续利用所述驱动电极对所述阻变材料层施加电压，使所述导电细丝断裂，在所述导电细丝断裂的位置构成所述绝缘区域，所述绝缘区域两侧的导电细丝作为所述第一导电区域和所述第二导电区域；所述导体盘形成于所述阻变材料的上表面或内部。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京大学 一种片上微型电子源及制造方法、电子源系统、电子设备

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD