申请/专利权人：深圳佳恩功率半导体有限公司

申请日：2023-09-25

公开（公告）日：2024-04-26

公开（公告）号：CN220856562U

主分类号：H01L23/367

分类号：H01L23/367;H01L23/495;H01L23/40

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.26#授权

摘要：本实用新型提供了一种平面型SIC芯片结构，属于SIC芯片技术领域，包括:SIC芯片体、导电凸块、金属散热片和框架体,SIC芯片体的表面设有多个导电凸块；金属散热片的第一表面与SIC芯片体的背面焊接,金属散热片的第二表面与引线框焊接；框架体包括多个支撑部和多个引线端子,支撑部的表面与引线端子的内表面焊接形成安装腔；SIC芯片体的表面倒装安装在安装腔内,其导电凸块与引线端子的内表面焊接；密封胶,密封胶填充框架体和SIC芯片体之间的间隙；支撑部之间的间隙构成密封胶的导流通道。能够解决现有技术存在芯片与承载框架之间存在间隙,无法进行可靠的机械固定,也不利于热的传导,影响散热效果的技术问题。

主权项：1.一种平面型SIC芯片结构，其特征在于,包括:SIC芯片体,所述SIC芯片体的表面设有多个导电凸块；金属散热片,所述金属散热片的第一表面与所述SIC芯片体的背面焊接,所述金属散热片的第二表面与引线框焊接；框架体,所述框架体包括多个支撑部和多个引线端子,所述支撑部的表面与所述引线端子的内表面焊接形成安装腔；所述SIC芯片体的表面倒装安装在所述安装腔内,其导电凸块与所述引线端子的内表面焊接；密封胶,所述密封胶填充所述框架体和SIC芯片体之间的间隙；所述支撑部之间的间隙构成所述密封胶的导流通道。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳佳恩功率半导体有限公司 一种平面型SIC芯片结构

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