申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司

申请日：2023-10-27

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117954503A

主分类号：H01L29/786

分类号：H01L29/786;H01L29/739;H01L29/732;H01L21/336;H01L21/331

优先权：["20221027 DE 102022128515.4"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.30#公开

摘要：公开了包括SIC半导体本体的竖向功率半导体器件。提出了一种竖向功率半导体器件100。竖向功率半导体器件100包括SiC半导体本体102，SiC半导体本体102具有沿着竖向方向y彼此相对的第一表面104和第二表面106。SiC半导体本体102包括在SiC半导体衬底1022上的至少一个SiC半导体层1021。pn结108被形成在至少一个SiC半导体层1021中。第一负载电极L1被布置在第一表面104上。竖向功率半导体器件100进一步包括从第二表面106延伸到SiC半导体衬底1022中的多个第一沟槽110。第二负载电极L2被布置在第二表面106上。第二负载电极L2被至少经由多个第一沟槽110的侧壁112电连接到SiC半导体衬底1022。在第二表面106处的多个第一沟槽的最小横向延伸l1与多个第一沟槽110距第二表面106的深度t1之间的比率在从0.5至5的范围内。

主权项：1.一种竖向功率半导体器件100，包括：SiC半导体本体102，其具有沿着竖向方向y彼此相对的第一表面104和第二表面106，其中SiC半导体本体102包括在SiC半导体衬底1022上的至少一个SiC半导体层1021；在所述至少一个SiC半导体层1021中的pn结108；在第一表面104上的第一负载电极L1；从第二表面106延伸到SiC半导体衬底1022中的多个第一沟槽110；在第二表面106上的第二负载电极L2，第二负载电极L2被至少经由所述多个第一沟槽110的侧壁112电连接到SiC半导体衬底1022；并且其中在第二表面106处的所述多个第一沟槽的最小横向延伸l1与所述多个第一沟槽110距第二表面106的深度t1之间的比率在从0.5至5的范围内。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 英飞凌科技股份有限公司 包括SIC半导体本体的竖向功率半导体器件

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