申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司

申请日：2024-01-17

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117947402A

主分类号：C23C16/24

分类号：C23C16/24;C23C16/455;C23C16/52

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开

摘要：本发明提供一种LPCVD原位掺杂多晶硅薄膜的制造方法，提供用于LPCVD原位掺杂多晶硅的炉管，炉管中的腔体设置有多个槽位间距小于等于目标距离的晶舟，晶舟上设置有衬底；调节腔体中的压力为0.6至0.8Torr，温度为560℃‑580℃，之后在腔体中通入硅烷和磷烷，在晶圆上形成掺杂型的第一多晶硅膜层；调节腔体中的压力为0.2至0.4Torr，温度为560℃‑580℃，之后在腔体中通入硅烷和磷烷，在第一多晶硅膜层上形成掺杂型的第二多晶硅膜层，使得第一、二多晶硅膜层上的缺陷数量低于目标数量。本发明能够减少LPCVD原位掺杂多晶硅炉管在采用槽位较多的、槽位间距较小的晶舟时出现的工艺缺陷。

主权项：1.一种LPCVD原位掺杂多晶硅薄膜的制造方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供用于LPCVD原位掺杂多晶硅的炉管，所述炉管中的腔体设置有多个槽位间距小于等于目标距离的晶舟，所述晶舟上设置有衬底；步骤二、调节所述腔体中的压力为0.6至0.8Torr，温度为560℃-580℃，之后在所述腔体中通入硅烷和磷烷，在所述晶圆上形成掺杂型的第一多晶硅膜层；步骤三、调节所述腔体中的压力为0.2至0.4Torr，温度为560℃-580℃，之后在所述腔体中通入硅烷和磷烷，在所述第一多晶硅膜层上形成掺杂型的第二多晶硅膜层，使得所述第一、二多晶硅膜层上的缺陷数量低于目标数量。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 LPCVD原位掺杂多晶硅薄膜的制造方法

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