申请/专利权人：苏州能讯高能半导体有限公司

申请日：2022-10-21

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117954445A

主分类号：H01L27/06

分类号：H01L27/06;H01L23/64;H01L21/82;H01L21/8252

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开

摘要：本发明公开了一种半导体集成电路装置及其制备方法。半导体集成电路装置包括衬底；设置于所述衬底上的多层外延结构；所述外延结构设有有源区和注入隔离区；所述半导体集成电路装置对应所述有源区的部分包括有源结构，所述半导体集成电路装置对应所述注入隔离区的部分集成有电感电容串联谐振电路；所述电感电容串联谐振电路与所述有源结构并联。本发明能够抑制半导体集成电路装置的谐波，提高线性度。

主权项：1.一种半导体集成电路装置，其特征在于，所述半导体集成电路装置包括：衬底；设置于所述衬底上的多层外延结构；所述外延结构设有有源区和注入隔离区；所述半导体集成电路装置对应所述有源区的部分包括有源结构，所述半导体集成电路装置对应所述注入隔离区的部分集成有电感电容串联谐振电路；所述电感电容串联谐振电路与所述有源结构并联。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州能讯高能半导体有限公司 半导体集成电路装置及其制备方法

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