申请/专利权人：云南中科鑫圆晶体材料有限公司

申请日：2024-03-05

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117947510A

主分类号：C30B28/04

分类号：C30B28/04;C30B28/14;C30B29/40;C30B35/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开

摘要：本发明公开了一种锑化镓多晶合成方法，包括以下步骤：称取锑与镓；放入石英管；放入合成炉；加热合成；逐渐冷却；取出锑化镓多晶。通过本合成方法，能合成高质量锑化镓多晶，利用合成的锑化镓多晶进行单晶生长，可以有效的解决用高纯锑单质和镓单质直接生长锑化镓单晶存在的配比失衡及有Ga2O3残渣生成等问题，有效提高锑化镓单晶生长的质量。

主权项：1.一种锑化镓多晶合成方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，锑与镓的配比控制为Sb:Ga=1.0至1.1:1，首先把锑和镓分别放置在石英舟内，然后把盛放6N纯度单质锑的石英舟安置于石英管的高温区，高温区设置有3组均匀分布的电阻丝，盛放6N纯度单质镓的石英舟安置于石英管的低温区，低温区设置有5组均匀分布的电阻丝；步骤2，在石英管的开口端放入一个玻璃塞，把石英管连接在真空泵下抽真空，持续抽真空2-5h使得管内气压达到1x10-4Pa，然后充入少量氢气，但充入后气压不应大于1x10-2Pa，然后通过熔焊把玻璃塞与石英管熔化焊接在一起密封；步骤3，把装好料封焊完成的石英管放入合成炉中，装有锑的一端放在高温区，装有镓的一端放在低温区，设置高温区的加热温度为1000-1700℃，低温区的加热温度为650-800℃；步骤4，高温区的温度控制在1000-1700℃，低温区的温度控制在650-800℃，保持该温度设置恒温12-24h，进行锑化镓多晶的合成；步骤5，合成结束后逐渐冷却炉子至室温，获得锑化镓多晶，从靠近中温区的第1段加热丝开始逐段降温：第1段按10℃h的速度降温，其他段加热功率保持不变；30min后，第２段开始降温，速度为10℃h，但第３至５段加热功率维持不变；30min后，第３段同样以10℃h的速度开始降温；依此类推，直至全部加热丝降至室温；步骤6，冷却结束后从石英管内取出合成的锑化镓多晶料，并把合成的锑化镓多晶料尾端切除后，用稀王水清洗干燥后就可直接拿来进行单晶生长。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 一种锑化镓多晶合成方法

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