申请/专利权人：华为技术有限公司

申请日：2022-10-28

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117954493A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.30#公开

摘要：本申请实施例提供了一种场效应晶体管及其制造方法。其中，该场效应晶体管包括：源极、漏极和栅极；所述源极和所述漏极包括堆叠结构，所述堆叠结构由外延层和牺牲层交替堆叠构成，所述堆叠结构包括N个所述外延层和M个所述牺牲层，所述外延层由半导体材料构成，所述牺牲层具有孔状结构，N和M为大于或者等于1的整数；所述源极和所述漏极之间包括N个沟道；所述源极的N个外延层分别与所述N个沟道连接，所述漏极的N个外延层分别与所述N个沟道连接；所述栅极包裹所述N个沟道。本申请场效应晶体管的堆叠结构在特定蚀刻溶液中具有高蚀刻选择比，增强了器件性能的稳定性。

主权项：1.一种场效应晶体管，其特征在于，包括：源极、漏极和栅极；所述源极和所述漏极包括堆叠结构，所述堆叠结构由外延层和牺牲层交替堆叠构成，所述堆叠结构包括N个所述外延层和M个所述牺牲层，所述外延层由半导体材料构成，所述牺牲层具有孔状结构，N和M为大于或者等于1的整数；所述源极和所述漏极之间包括N个沟道；所述源极的N个外延层分别与所述N个沟道连接，所述漏极的N个外延层分别与所述N个沟道连接；所述栅极包裹所述N个沟道。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华为技术有限公司 场效应晶体管及其制造方法

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