申请/专利权人：意法半导体(R&D)有限公司

申请日：2023-10-26

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117956315A

主分类号：H04N25/773

分类号：H04N25/773

优先权：["20221027 US 17/975,178"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.17#实质审查的生效;2024.04.30#公开

摘要：本公开涉及用于负偏置SPAD的有源再充电淬熄电路。本文公开了用于飞行时间成像的单光子雪崩二极管SPAD像素。该像素包括具有连接到第一节点的阴极和耦合到第一负电压的阳极的SPAD。像素中的晶体管电路包括连接在电源电压节点和第二节点之间的淬熄晶体管，该淬熄晶体管由淬熄控制信号控制以在高阻抗模式下操作，以及与该淬熄晶体管并联连接在电源电压节点和第二节点之间的再充电晶体管，该再充电晶体管由反馈信号控制。像素还包括基于第一节点处的电压生成输出信号的读出反相器和基于输出信号生成反馈信号的可调节延迟电路，反馈信号相对于输出信号被延迟。

主权项：1.一种单光子雪崩二极管SPAD阵列，包括：多个像素，每个像素包括：SPAD，具有连接到第一节点的阴极和耦合到第一负电压的阳极；晶体管电路，包括：淬熄晶体管，连接在电源电压节点与第二节点之间，所述淬熄晶体管由淬熄控制信号控制以在高阻抗模式中操作；再充电晶体管，与所述淬熄晶体管并联连接在所述电源电压节点与所述第二节点之间，所述再充电晶体管由反馈信号控制；读出反相器，被配置为基于所述第一节点处的电压生成输出信号；以及可调节延迟电路，被配置为基于所述输出信号生成所述反馈信号，所述反馈信号相对于所述输出信号被延迟。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 意法半导体(R&D)有限公司 用于负偏置SPAD的有源再充电淬熄电路

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