申请/专利权人：安靠科技新加坡控股私人有限公司

申请日：2023-10-24

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117954404A

主分类号：H01L23/31

分类号：H01L23/31;H01L23/498;H01L23/552;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60

优先权：["20221028 US 17/976,094"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.30#公开

摘要：电子装置及制造电子装置的方法。在一个实例中，一种电子装置包括：衬底，其包括导电结构和电介质结构，所述电介质结构包括上部电介质层，电子组件，其在所述衬底的顶侧之上且与所述导电结构耦合，包封物，其在所述衬底的所述顶侧之上且邻近于所述电子组件的横向侧，以及屏蔽物，其在所述电子组件的所述顶侧之上且接触所述包封物的横向侧和所述衬底的第一横向侧。所述导电结构包括在所述衬底的所述第一横向侧处的第一突片结构，并且其中所述第一突片结构接触所述屏蔽物且在所述上部电介质层上方延伸。本文中还公开其它实例和相关方法。

主权项：1.一种电子装置，其特征在于，包括：衬底，其包括导电结构和电介质结构，所述电介质结构包括上部电介质层；电子组件，其在所述衬底的顶侧之上且与所述导电结构耦合；包封物，其在所述衬底的所述顶侧之上且邻近于所述电子组件的横向侧；以及屏蔽物，其在所述电子组件的所述顶侧之上且接触所述包封物的横向侧和所述衬底的第一横向侧；其中所述导电结构包括在所述衬底的所述第一横向侧处的第一突片结构，并且其中所述第一突片结构接触所述屏蔽物且在所述上部电介质层上方延伸。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 安靠科技新加坡控股私人有限公司 电子装置及制造电子装置的方法

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