申请/专利权人：江苏超芯星半导体有限公司

申请日：2023-09-26

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117265664B

主分类号：C30B29/36

分类号：C30B29/36;C30B23/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.30#授权;2024.01.09#实质审查的生效;2023.12.22#公开

摘要：本发明提供了一种碳化硅晶体的生长方法和碳化硅晶体，所述生长方法包括：1在坩埚的内腔底部装入原料B，然后在坩埚的内腔中安装支撑板，再在支撑板远离原料B的一侧表面装上原料A，之后将坩埚密封；2对密封后的坩埚进行抽真空，然后充入保护性气体；3对原料A所处的区域进行加热，在第一温度和第一压力下生长碳化硅晶体；4对原料B所处的区域进行加热，在第二温度和第二压力下生长碳化硅晶体。采用本发明的生长方法能够大幅提升原料利用率，并能够增加晶体的有效厚度。

主权项：1.一种碳化硅晶体的生长方法，其特征在于，所述生长方法包括：（1）在坩埚的内腔底部装入原料B，然后在坩埚的内腔中安装支撑板，再在支撑板远离原料B的一侧表面装上原料A，之后将坩埚密封；（2）对密封后的坩埚进行抽真空，然后充入保护性气体；（3）对原料A所处的区域进行加热，在第一温度和第一压力下生长碳化硅晶体；（4）对原料B所处的区域进行加热，在第二温度和第二压力下生长碳化硅晶体；所述原料A包括α型碳化硅粉；所述原料B包括硅粉与碳粉的混合物、掺硅的α型碳化硅粉或β型碳化硅粉中的任意一种；步骤（4）所述第二温度高于第一温度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江苏超芯星半导体有限公司 一种碳化硅晶体的生长方法和碳化硅晶体

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