申请/专利权人：温州核芯智存科技有限公司

申请日：2023-09-12

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN116913341B

主分类号：G11C11/4074

分类号：G11C11/4074;G11C11/408;G11C11/4094;G11C11/4097

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.30#授权;2023.11.07#实质审查的生效;2023.10.20#公开

摘要：本发明公开了一种存储器及补偿方法，涉及半导体技术领域。本发明包括补偿单元，包括控制模块，以及与所述控制模块连接的补偿模块，所述控制模块包括带有转换开关的灵敏放大器，所述补偿模块接入线性稳压器电源提供的补偿电压。本发明的有益效果：本方案在每个控制模块里面增加一个或者两个NMOS管器件的基础上可以同时解决电荷泵抬升漏电的问题以及存储器位线选择器TDDB使用寿命的问题，从而得以解决铁电存储器小尺寸的CMOS工艺兼容的问题，在不用增加特殊工艺的情况下存储器的性能还得以保证。

主权项：1.一种存储器，其特征在于：包括，补偿单元（100），包括控制模块（101）与所述控制模块（101）连接的补偿模块（102），还包括与所述控制模块（101）连接的平衡模块（103），所述平衡模块（103）接入0V的下拉电压，所述控制模块（101）包括带有转换开关的灵敏放大器；存储结构（200），包括三极管（201）与所述三极管（201）的源极连接的存储模块（202），所述补偿单元（100）通过所述控制模块（101）连接至所述三极管（201）的漏极；位线（300），具有互相平行的n条，n为大于1的自然数；字线（400），具有互相平行的m条，m为大于1的自然数；各个所述字线（400）上设置有多个存储结构（200），且各个存储结构通过其三极管（201）的栅极依次连接在对应的字线（400）上；各个所述存储结构（200）还通过其三极管（201）的漏极连接在对应的位线（300）上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 温州核芯智存科技有限公司 一种存储器及补偿方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD