申请/专利权人：鹤山市中富兴业电路有限公司

申请日：2021-12-24

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN114340212B

主分类号：H05K3/40

分类号：H05K3/40;H05K3/06;H05K1/11

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.30#授权;2022.04.29#实质审查的生效;2022.04.12#公开

摘要：本发明公开了电路板金手指斜坡结构的制造方法和电路板金手指，其中电路板金手指斜坡结构的制造方法，包括以下步骤：取外层线路加工好的电路板，电路板设有金手指，金手指与外层线路相连；压膜：在电路板上压一层干膜，干膜与金手指贴合，压膜的压力范围为5.5kgcm2至6.5kgcm2，压膜的温度范围为115℃至125℃；曝光显影：将负片菲林与压好干膜的电路板中的电路对位放置，且负片菲林在金手指的前端设计成挡光，采用曝光机对电路板曝光；曝光后使用显影液进行显影，以使金手指的前端裸露；蚀刻斜坡：利用药水的边沿进行侧蚀，将金手指的前端腐蚀成斜坡；退膜：使用退膜液将干膜清除。采用干膜开窗、蚀刻斜坡的方式加工金手指斜坡，加工成本低，插拔效果更好。

主权项：1.电路板金手指斜坡结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：取外层线路加工好的电路板，所述电路板设有金手指，所述金手指与所述外层线路相连；压膜：在所述电路板上压一层干膜，所述干膜与所述金手指贴合，其中，压膜的压力范围为5.5kgcm2至6.5kgcm2，压膜的温度范围为115℃至125℃；曝光显影：将负片菲林与压好所述干膜的所述电路板中的电路对位放置，且所述负片菲林在所述金手指的前端设计成挡光，采用曝光机对所述电路板曝光；曝光后使用显影液进行显影，以使所述金手指的前端裸露；蚀刻斜坡：利用药水的边沿进行侧蚀，将所述金手指的前端腐蚀成斜坡；退膜：使用退膜液将所述干膜清除。

全文数据：

权利要求：

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