申请/专利权人：昆山龙腾光电股份有限公司

申请日：2021-10-18

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN113948458B

主分类号：H01L21/77

分类号：H01L21/77;H01L27/12

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.30#授权;2022.02.08#实质审查的生效;2022.01.18#公开

摘要：本发明提供一种阵列基板及其制作方法，该阵列基板包括：衬底基板；形成在衬底基板上的金属层，其中金属层包括栅极、扫描线和数据线，栅极与扫描线相连，数据线与扫描线相互交叉，且数据线在与扫描线交叉的位置断开；形成在衬底基板上且覆盖金属层的栅极绝缘层，栅极绝缘层设有过孔，过孔对应位于数据线断开位置处的上方；形成在栅极绝缘层上的金属氧化物半导体层，金属氧化物半导体层包括导电区域和半导体区域，半导体区域包括有源层，导电区域包括源极、漏极和像素电极，源极和漏极分别与有源层连接，源极填入过孔内并与数据线连接，且断开的数据线通过源极连接导通，漏极与像素电极连接。

主权项：1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底基板11；在所述衬底基板11上形成金属薄膜，对所述金属薄膜进行蚀刻制作金属层，其中所述金属层包括栅极121、扫描线122和数据线123，所述栅极121与所述扫描线122相连，所述数据线123与所述扫描线122相互交叉，且所述数据线123在与所述扫描线122交叉的位置断开；在所述衬底基板11上形成覆盖所述金属层的栅极绝缘层13，对所述栅极绝缘层13进行蚀刻形成过孔131，所述过孔131对应位于所述数据线123断开位置处的上方；在所述栅极绝缘层13上形成金属氧化物半导体层14，所述金属氧化物半导体层14填入所述过孔131内并与所述数据线123连接，所述金属氧化物半导体层14用于形成源极142、漏极143、像素电极144和有源层141；在所述金属氧化物半导体层14上涂布光阻2，利用半色调掩膜3对所述光阻2进行曝光、显影，完全保留所述有源层141上方区域的光阻2，部分保留所述源极142、所述漏极143和所述像素电极144上方区域的光阻2，完全去除其它区域的光阻2；对所述金属氧化物半导体层14进行蚀刻，去除所述源极142、所述漏极143、所述像素电极144和所述有源层141对应区域以外的金属氧化物半导体层14；对所述光阻2进行灰化处理，保留所述有源层141上方区域的光阻2，完全去除其它区域的光阻2，使对应于所述有源层141区域以外的金属氧化物半导体层14暴露出来；对所述暴露出来的金属氧化物半导体层14进行导体化处理，使所述暴露出来的金属氧化物半导体层14分别形成所述源极142、所述漏极143和所述像素电极144，未暴露出来的所述金属氧化物半导体层14形成所述有源层141，其中所述源极142和所述漏极143分别与所述有源层141连接，所述源极142通过所述过孔131与所述数据线123连接，且断开的所述数据线123通过所述源极142连接导通，所述漏极143与所述像素电极144连接；去除所述有源层141上方区域的光阻2。

全文数据：

权利要求：

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