申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司

申请日：2024-01-17

公开（公告）日：2024-05-07

公开（公告）号：CN117995769A

主分类号：H01L21/768

分类号：H01L21/768;H01L21/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.24#实质审查的生效;2024.05.07#公开

摘要：本发明提供一种改善互连金属层TDDB的方法，所述方法包括：提供一半导体结构，其包括互连金属层，且所述互连金属层包括介质阻挡层及形成于所述介质阻挡层表面的超低介电常数层；通过刻蚀工艺刻蚀所述介质阻挡层及所述超低介电常数层以同步形成通孔及沟槽，其中，所述通孔位于部分所述沟槽的下方，并与其连通；利用EKC溶液对刻蚀后的所述半导体结构进行湿法清洗；于所述通孔及沟槽内填充金属铜，且在填充前利用酸性溶液对所述通孔及所述沟槽进行预清洗。通过本发明改善现有的互连金属层TDDB较差的问题。

主权项：1.一种改善互连金属层TDDB的方法，其特征在于，所述方法包括：提供一半导体结构，其包括互连金属层，且所述互连金属层包括介质阻挡层及形成于所述介质阻挡层表面的超低介电常数层；通过刻蚀工艺刻蚀所述介质阻挡层及所述超低介电常数层以同步形成通孔及沟槽，其中，所述通孔位于部分所述沟槽的下方，并与其连通；利用EKC溶液对刻蚀后的所述半导体结构进行湿法清洗；于所述通孔及沟槽内填充金属铜，且在填充前利用酸性溶液对所述通孔及所述沟槽进行预清洗。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 改善互连金属层TDDB的方法

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