申请/专利权人：应用材料股份有限公司

申请日：2008-01-22

公开（公告）日：2009-11-25

公开（公告）号：CN101589459A

主分类号：H01L21/31(2006.01)I

分类号：H01L21/31(2006.01)I;H01L21/469(2006.01)I

优先权：["2007.1.26 US 60/886,872"]

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的视为撤回

法律状态：2011.07.13#发明专利申请公布后的视为撤回;2010.03.10#实质审查的生效;2009.11.25#公开

摘要：本发明的实施例一般提供一种在半导体器件的导电元件之间形成气隙的方法，其中气隙的介电常数约为1。气隙的形成一般通过在相应导电元件间沉积牺牲材料、在导电元件与牺牲材料上沉积多孔层、然后通过多孔层从相应导电元件之间的间隙剥除牺牲材料，从而在相应导电元件之间留下气隙。牺牲材料可以是例如聚合α-萜品烯层，多孔层可以是例如多孔碳掺杂氧化层，且剥除工艺可利用例如基于紫外线UV的固化工艺。

主权项：1.一种用于在导电互连间形成低介电常数k间隙壁的方法，所述方法包括：在沉积在衬底上的牺牲层中形成多个互连特征结构，其中所述牺牲层是聚合α-萜品烯层；用导电材料填充所述互连特征结构；将多孔层沉积到所述经填充的互连特征结构与所述牺牲层上，所述多孔层具有整齐的孔隙结构；以及通过所述多孔层从在所述经填充的导电互连间的区域移除至少一部分的所述牺牲层，以在所述导电互连之间形成气隙。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 应用材料股份有限公司 用于层间介电气隙的PEVCD沉积牺牲聚合物薄膜的紫外光固化

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