申请/专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

申请日：2018-07-03

公开（公告）日：2020-01-10

公开（公告）号：CN110676341A

主分类号：H01L31/109(20060101)

分类号：H01L31/109(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.06.25#授权;2020.02.11#实质审查的生效;2020.01.10#公开

摘要：本发明涉及一种半导体结构，其包括：一半导体层，该半导体层具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；至少一根金属型碳纳米管，该至少一根金属型碳纳米管设置于所述半导体层的第一表面；至少一石墨烯层，该至少一石墨烯层设置于所述半导体层的第二表面，使所述半导体层设置于所述至少一根金属型碳纳米管和所述至少一石墨烯层之间，所述至少一根金属型碳纳米管与所述至少一石墨烯层纵横交叉设置，而形成至少一个交叉层叠区域，在每一个交叉层叠区域，所述金属型碳纳米管、所述半导体层及所述石墨烯层相互层叠形成一多层立体结构。本发明还涉及一种光电器件、一种光探测器及一种光谱仪。

主权项：1.一种半导体结构，其包括：一半导体层，该半导体层具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；至少一根金属型碳纳米管，该至少一根金属型碳纳米管设置于所述半导体层的第一表面；至少一石墨烯层，该至少一石墨烯层设置于所述半导体层的第二表面，使所述半导体层设置于所述至少一根金属型碳纳米管和所述至少一石墨烯层之间，所述至少一根金属型碳纳米管与所述至少一石墨烯层纵横交叉设置，而形成至少一个交叉层叠区域，在每一个交叉层叠区域，所述金属型碳纳米管、所述半导体层及所述石墨烯层相互层叠形成一多层立体结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 半导体结构、光电器件、光探测器及光探测仪

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD