申请/专利权人:刘业瑞
申请日:2019-12-02
公开(公告)日:2020-03-24
公开(公告)号:CN110912411A
主分类号:H02M3/335(20060101)
分类号:H02M3/335(20060101)
优先权:
专利状态码:失效-发明专利申请公布后的视为撤回
法律状态:2023.07.07#发明专利申请公布后的视为撤回;2020.04.17#实质审查的生效;2020.03.24#公开
摘要:本发明专利是一种非对称异型上、下管有源钳位反激变换器,上管使用超结功率MOSFET管,下管使用GaN功率管。下管使用GaN功率管,充分发挥开关速度快,关断损耗小的特点;上管使用超结功率MOSFET管,减低成本。同时,由于上管使用更高导通电阻的器件,其寄生电容更小,从而减小原边电流下跌凹坑所产生的损耗。与目前市场上、下管或者同时采用超结功率MOSFET管,或者同时采用氮化镓GaN功率管相比较,本发明专利的整个装置既能充分发挥两种不同器件的特性,保障设备性能优化,又可降低成本。
主权项:1.一种非对称异型上、下管有源钳位反激变换器,其特征是有源钳位反激变换器的上、下管使用不同类型的器件和不同参数。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 刘业瑞 非对称异型上、下管有源钳位反激变换器
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。