申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2019-11-05

公开（公告）日：2020-03-31

公开（公告）号：CN110945650A

主分类号：H01L23/48(20060101)

分类号：H01L23/48(20060101);H01L21/60(20060101);H01L27/11529(20170101);H01L27/11551(20170101);H01L27/11573(20170101);H01L27/11578(20170101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态：2022.10.11#发明专利申请公布后的驳回;2020.04.24#实质审查的生效;2020.03.31#公开

摘要：公开了半导体设备及其制造方法的实施方式。在一示例中，半导体设备包括第一半导体结构和第二半导体结构。第一半导体结构包括具有多个第一键合触点的第一键合层和垂直地延伸穿过第一键合层并进入第一半导体结构内的第一通孔结构。第二半导体结构包括具有多个第二键合触点的第二键合层和垂直地延伸穿过第二键合层并进入第二半导体结构内的第二通孔结构。第一键合触点在键合界面处与第二键合触点接触，第一通孔结构与第二通孔结构接触，以及第一通孔结构和第二通孔结构的侧壁具有在键合界面处的交错剖面。

主权项：1.一种半导体设备，包括：第一半导体结构，其包括：第一键合层，其包括多个第一键合触点；以及第一通孔结构，其垂直地延伸穿过所述第一键合层并进入所述第一半导体结构内；第二半导体结构，其包括：第二键合层，其包括多个第二键合触点；以及第二通孔结构，其垂直地延伸穿过所述第二键合层并进入所述第二半导体结构内；以及键合界面，其在所述第一键合层和所述第二键合层之间，其中：所述第一键合触点在所述键合界面处与所述第二键合触点接触；所述第一通孔结构与所述第二通孔结构接触；并且所述第一通孔结构和所述第二通孔结构的侧壁具有在所述键合界面处的交错剖面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 具有通过键合而形成的毗连通孔结构的半导体设备和用于形成其的方法

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