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【实用新型】一种可减少滤波器电磁泄露的腔体结构_武汉浩源达科技有限公司_201922064869.3 

申请/专利权人:武汉浩源达科技有限公司

申请日:2019-11-26

公开(公告)日:2020-05-22

公开(公告)号:CN210607559U

主分类号:H01P1/208(20060101)

分类号:H01P1/208(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2020.05.22#授权

摘要:本实用新型公开了一种可减少滤波器电磁泄露的腔体结构,包括安装结构、内箱体、调节结构和外箱体,所述外箱体的一端设置有安装结构,所述外箱体的内部设置有内箱体,且内箱体与外箱体之间设置有第一空心腔,所述第一空心腔的内部均匀设置有第一卡槽,且第一卡槽之间均设置有第一加强筋。本实用新型通过在内箱体与外箱体之间设置有第一空心腔,第一空心腔的内部均匀设置有第一卡槽,且第一卡槽之间均设置有第一加强筋,第一加强筋的两端均设置有第一卡块,同时内箱体的内侧壁上固定有第一金属网,设计成双层结构,同时内箱体上固定有第一金属网,增加信号的屏蔽效果,减少滤波器电磁泄露。

主权项:1.一种可减少滤波器电磁泄露的腔体结构,包括安装结构1、内箱体2、调节结构4和外箱体7,其特征在于:所述外箱体7的一端设置有安装结构1,所述外箱体7的内部设置有内箱体2,且内箱体2与外箱体7之间设置有第一空心腔6,所述第一空心腔6的内部均匀设置有第一卡槽8,且第一卡槽8之间均设置有第一加强筋5,所述第一加强筋5的两端均设置有第一卡块9,所述内箱体2的内部设置有调节结构4,所述内箱体2的内侧壁上固定有第一金属网3。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 武汉浩源达科技有限公司 一种可减少滤波器电磁泄露的腔体结构

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