申请/专利权人：三菱电机株式会社

申请日：2015-09-03

公开（公告）日：2020-07-03

公开（公告）号：CN107996017B

主分类号：H02M1/00(20070101)

分类号：H02M1/00(20070101);H02M3/00(20060101);H02M7/48(20070101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.07.03#授权;2018.06.01#实质审查的生效;2018.05.04#公开

摘要：本发明提供一种功率转换装置。收纳有一个或多个功率用半导体开关元件的功率用半导体模块10A具有：与功率用半导体开关元件的集电极电位连接的集电极主端子10A1和集电极辅助端子10A3；与功率用半导体开关元件的栅极电位连接的栅极辅助端子10A4；及与功率用半导体开关元件的发射极电位连接的发射极主端子10A2和发射极辅助端子10A5。功率转换装置具有生成对集电极辅助端子与发射极辅助端子间的电压进行检测而得的分压电压并传送至栅极驱动电路的分压电路基板。分压电路基板电连接至集电极辅助端子和发射极辅助端子来搭载于功率用半导体模块。栅极驱动电路12A根据分压电路基板所输出的分压电压来变更功率用半导体开关元件的驱动速度。

主权项：1.一种功率转换装置，该功率转换装置构成为包括：模块，该模块收纳有一个或多个开关元件；以及栅极驱动电路，该栅极驱动电路对所述开关元件进行驱动，所述功率转换装置的特征在于，所述模块具有：第1信号输入端子，该第1信号输入端子与所述开关元件的集电极或漏极进行连接；以及第3信号输入端子，该第3信号输入端子与所述开关元件的发射极或源极进行连接，所述功率转换装置具有分压电路，该分压电路生成对所述第1信号输入端子与所述第3信号输入端子之间的电压进行检测而得的分压电压，并传送至所述栅极驱动电路，所述分压电路具有：分压电路基板；配置在所述分压电路基板上的阻抗元件群；与所述阻抗元件群的一端进行连线的第1连接端子；以及与所述阻抗元件群的另一端进行连线的第2连接端子，所述第1连接端子与所述第1信号输入端子连接，且所述第2连接端子与所述第3信号输入端子连接，从而所述分压电路基板搭载于所述模块，所述栅极驱动电路搭载于与所述分压电路基板不同的栅极驱动电路基板，经由将所述第1信号输入端子与所述第3信号输入端子之间的分压电压从所述分压电路传送至所述栅极驱动电路的布线，与所述分压电路进行连接，根据所述分压电路所输出的分压电压来变更所述开关元件的驱动速度。

全文数据：功率转换装置技术领域[0001]本发明涉及具备收纳有功率用半导体开关元件的功率用半导体模块的功率转换装置。背景技术[0002]逆变器装置、伺服放大器装置、开关电源装置之类的功率转换装置内置功率用半导体开关元件。功率用半导体开关元件中，第1主端子与第2主端子之间的导通状态根据施加在第1信号输入端子与第2信号输入端子之间的电信号而变化。栅极驱动电路在功率用半导体开关元件的第1信号输入端子与第2信号输入端子之间施加电信号来驱动功率用半导体开关元件。[0003]作为现有技术，以下功率转换装置是公知的：利用电气元件对功率用半导体开关元件的主端子间的电压进行分压来生成分压电压并传送至栅极驱动电路，栅极驱动电路根据传送来的分压电压来使功率用半导体开关元件的驱动方法发生变化例如，参照以下专利文献1、2。[0004]在^利文献1中，公开了以下结构：g卩，用电阻对功率用半导体开关元件的主端子间的电压进行分压而生成分压电压，并将该分压电压传送至栅极驱动电路。栅极驱动电路具备电流驱动单元，该电流驱动单元根据分压电压来将电流注入功率用半导体开关元件的第1信号输入端子。[0005]另外，在专利文献2中，用两个电容器对功率用半导体开关元件的主端子间的电压进行分压而生成分压电压，并将该分压电压传送至栅极驱动电路。将用于生成分压电压的两个电容器模塑于一个封装，以构成元件模块。若分压电压比基准值要高，则内置的FET元器件截止，栅极驱动电路成为高阻抗状态的方式进行动作。现有技术文献专利文献[0006]专利文献1:日本专利特开2005—86940号公报专利文献2:日本专利特开2014—50179号公报发明内容发明所要解决的技术问题[0007]功率转换装置需要有承受振动的机械性强度。特别是搭载于汽车、铁路车辆等移动体的功率转换装置会被施加较大的振动。即使是设置于建筑物的功率转换装置，也需要在输送时承受振动[0008]这里，在上述专利文献1中，未公开与承受振动的机械性强度有关的技术。另外，在专利文献2的功率转换装置中，用于生成分压电压的两个电容器通过模塑于一个封装来构成，因此，虽然可期待具有能承受振动的机械性强度，但由于进行了模塑，因此，存在难以变更生成分压电压的阻抗要素的常数这一问题。[0009]本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于，获得一种既能确保能承受振动的机械性强度、又能容易地对生成分压电压的阻抗要素的常数进行变更的功率转换装置。解决技术问题所采用的技术方案[0010]为了解决上述问题，达到目的，本发明的功率转换装置构成为包括:功率用半导体模块，该功率用半导体模块收纳有一个或多个功率用半导体开关元件；以及栅极驱动电路，该栅极驱动电路对所述功率用半导体开关元件进行驱动，所述功率转换装置的特征在于，所述功率用半导体模块具有:第1主端子和第1信号输入端子，该第1主端子和第1信号输入端子与所述功率用半导体开关元件的集电极电位或漏极电位进行连接;第2信号输入端子，该第2信号输入端子与所述功率用半导体开关元件的栅极电位进行连接；以及第2主端子和第3信号输入端子，该第2主端子和第3信号输入端子与所述功率用半导体开关元件的发射极电位或源极电位进行连接，所述功率转换装置具有分压电路基板，该分压电路基板生成对所述第1信号输入端子与所述第3信号输入端子之间的电压进行检测而得的分压电压，并将该分压电压传送至所述栅极驱动电路，所述分压电路基板与所述第1信号输入端子和所述第3信号输入端子进行电连接从而搭载于所述功率用半导体模块，所述栅极驱动电路根据所述分压电路基板所输出的分压电压来变更所述功率用半导体开关元件的驱动速度。发明效果[0011]根据本发明，起到以下效果:既能确保能承受振动的机械性强度，又能容易地变更生成分压电压的阻抗要素的常数。附图说明[0012]图1是表示实施方式1所涉及的功率转换装置的主要部分结构的电路图。图2是表示实施方式1的功率转换装置中的功率用半导体模块的结构例的立体图。图3是表示实施方式1的功率转换装置中的分压电路的结构例的立体图。图4是表示实施方式1的功率转换装置的栅极驱动电路中的端子部的配置例的立体图。图5是表示实施方式1的功率转换装置中的栅极驱动电路基板、分压电路基板和功率用半导体模块间的连线例的立体图。图6是表示实施方式2所涉及的功率转换装置的主要部分结构的电路图。图7是表示实施方式2的功率转换装置中的分压电路基板与栅极驱动电路基板之间的连线例的立体图。图8是表示实施方式3的功率转换装置中的分压电路基板与栅极驱动电路基板之间的连线例的立体图。图9是表示将信号布线收纳于实施方式3所涉及的功率转换装置中使用的绝缘管中的实施例1的剖视图。图10是表示将信号布线收纳于实施方式3所涉及的功率转换装置中使用的绝缘管中的实施例2的剖视图。图11是表示图10所示的实施例2的变形例的剖视图。图12是表示将信号布线收纳于实施方式3所涉及的功率转换装置中使用的绝缘管中的实施例3的剖视图。图13是表示实施方式4所涉及的功率转换装置的主要部分结构的电路图。图14是表不买施方式4的功率转换装置中的功率用半导体模块的端子部的配置例的立体图。图15是表示实施方式4的功率转换装置中的分压电路的结构例的立体图。图16是表示实施方式4的功率转换装置中的栅极驱动电路的端子部的配置例的立体图。图17是表示实施方式4的功率转换装置中的分压电路基板与栅极驱动电路基板之间的连线例的立体图。图18是表示实施方式5所涉及的功率转换装置的主要部分结构的电路图。图19是表示实施方式5的功率转换装置中的分压电路基板与栅极驱动电路基板之间的连线例的立体图。具体实施方式[0013]下面，参照附图对本发明的实施方式所涉及的功率转换装置进行说明。此外，本发明并不局限于以下所示的实施方式。[0014]实施方式1.首先，参照图1至图5,对实施方式1所涉及的功率转换装置的结构进行说明。图丨是示出实施方式1所涉及的功率转换装置的主要部分结构的电路图。另外，图2至图5的各图是表示实施方式1的功率转换装置中的主要部分的结构的立体图，图2表示功率用半导体模块10A的端子部的配置例，图3表示分压电路16A的结构例，图4表示栅极驱动电路12A的端子部的配置例，图5表示如图2至图4那样构成的电路基板12K、分压电路基板16K和功率用半导体模±夬1^间的连线例。此外，图2至图5的结构是一个示例，并不局限于该各图的结构例。[0015]在图1中，实施方式1所涉及的功率转换装置设有:功率用半导体模块10A，该功率用半导体模块10A收纳有用于驱动省略了图示的驱动负载例如电动机的功率用半导体开关元件;栅极驱动电路12A，该栅极驱动电路12A是用于对功率用半导体模块i〇A进行控制的周边电路;开关信号生成部20,该开关信号生成部20生成用于对功率用半导体模块i〇A进行控制的开关信号；绝缘电路14A，该绝缘电路14A接收开关信号生成部20所生成的开关信号并将其传送至栅极驱动电路12A;以及分压电路16A，该分压电路16A对功率用半导体模块10A中的主端子间的电压进行检测来生成分压电压。[0016]功率用半导体模块i〇A中收纳有由晶体管元件10如和二极管元件10Ab并联连接而成的功率用半导体开关元件。作为晶体管元件1〇Aa，例示出了如图1所示的IGBT，但并不局限于IGBT，例如也可以使用M0SFET。此外，根据负载的特性，例如在电阻负载的情况下，有时省略二极管元件l〇Ab的连接。[0017]功率用半导体模块10A构成功率转换电路中的一个臂。若功率转换电路是半桥结构的电路（以下称为“半桥电路”），则由两个功率用半导体模块串联连接而构成。在半桥电路中，被施加高电位侧的电压的功率用半导体开关元件被称为“正侧功率用半导体开关元件”、“P侧功率用半导体开关元件”、“上侧功率用半导体开关元件”等，另外，也被称为“正侧臂”、“高电位侧臂”、“P侧臂”、“上侧臂”等。另外，被施加低电位侧的电压的功率用半导体开关元件被称为“负侧功率用半导体开关元件”、“N侧功率用半导体开关元件，，、“下侧功率用半导体开关元件”等，另外，也被称为“负侧臂”、“低电位侧臂”、“N侧臂”、“下侧臂，’等。若功率转换电路为单相逆变器电路，则能通过将两个半桥电路并联连接来构成，若功率转换电路为三相逆变器电路，则能通过将三个半桥电路并联连接来构成。[0018]在功率用半导体模块10A中，设有作为第1主端子的集电极主端子10A1、与晶体管元件10Aa的发射极电位进行连接的作为第2主端子的发射极主端子10A2、作为第1信号输入端子的集电极辅助端子10A3、作为第2信号输入端子的栅极辅助端子10A4和作为第3信号输入端子的发射极辅助端子10A5。另外，如图1所示，集电极主端子10A1与晶体管元件1OAa的集电极电位进行连接，发射极主端子10A2和发射极辅助端子10A5与发射极电位进行连接，栅极辅助端子10A4与栅极电位进行连接。此外，在晶体管元件i〇Aa是M0SFET的情况下，“集电极电位”成为“漏极电位”，“发射极电位”成为“源极电位”。[0019]集电极主端子10A1、发射极主端子10A2、集电极辅助端子10A3、栅极辅助端子10A4和发射极辅助端子10A5的配置例如图2所示。[0020]根据图2,在模块壳体10S的一个主面侧配置有三个集电极主端子10A1、三个发射极主端子10A2、一个集电极辅助端子10A3、一个栅极辅助端子10A4和一个发射极辅助端子10A5。三个集电极主端子10A1在模块壳体10S的长边方向上的一个端部侧沿该长边方向进行配置，三个发射极主端子10A2在模块壳体10S的中央部沿模块壳体10S的长边方向进行配置，一个集电极辅助端子10A3、一个栅极辅助端子10A4和一个发射极辅助端子10A5在模块壳体10S的长边方向的另一个端部侧沿该长边方向进行配置。此外，图2的配置例是一个示例，不言而喻也允许其他配置例。[0021]返回图1，栅极驱动电路12A是驱动功率用半导体模块10A的电路。这里，对每个功率用半导体开关元件设置栅极驱动电路12A。即，若作为功率转换装置的主电路的功率转换电路为单相逆变器电路，则设置四个栅极驱动电路，若功率转换电路为三相逆变器电路，则设置六个栅极驱动电路。[0022]栅极驱动电路12A包括桥式连接的四个晶体管元件，详细而言，包括第1导通用晶体管12Ala、第1截止用晶体管12Alb、第2导通用晶体管12Alc以及第2截止用晶体管12Ald。第1导通用晶体管12Ala及第1截止用晶体管12Alb经由两个栅极电阻12A2a、12A2b串联连接，第2导通用晶体管12A1c及第2截止用晶体管12A1d经由两个栅极电阻12A2c、12A2d串联连接。[0023]另外，栅极驱动电路12A上设有作为一个输入端子的分压电压输入端子12A6a、作为两个输出端子的栅极输出端子12A6b和发射极输出端子12A6c。将栅极电阻12A2a、12A2b的连接点与栅极电阻l2A2c、12A2d的连接点进行连线，进而与栅极输出端子12A6b进行连线。[0024]图4示出了栅极驱动电路12A中的端子部的配置例，在电路基板12K上设置分压电压输入端子12A6a、栅极输出端子12A6b和发射极输出端子12A6c，从而将图1的电路结构具体化。此外，电路基板12K可以是与搭载栅极驱动电路12A的电路基板相同的基板，也可以是不同的基板。以下也将电路基板称为“栅极驱动电路基板”。[0025]返回图1的栅极驱动电路12A的说明。在栅极驱动电路12A中，电容器12A5a、12A5b串联连接，作为第1导通用晶体管12Ala和第1截止用晶体管12Alb的动作电源12A5来起作用。电容器12A5a与电容器12A5b的连接点在栅极驱动电路12A的内部与发射极输出端子12A6c进行连线。[0026]另外，植极驱动电路12A具备开关速度切换郃12A3，该开关速度切换郃12A3对驱动功率用半导体模块10A时的速度进行切换。开关速度切换部12A3例如可以由逻辑电路构成。[0027]此外，栅极驱动电路12A具备分压电压判定部12A4。将后述的分压电路16A所生成的分压电压输入分压电压判定部12A4。在所输入的分压电压中包含有与功率用半导体模块10A中的主端子间的电压有关的信息。分压电压判定部12A4将分压电压与基准电压进行比较，生成表示分压电压高于或低于基准电压的信号（以下称为“电压判定信号”或“判定信号”）并将其输出至开关速度切换部12A3。[0028]绝缘电路14A是对开关信号生成部2〇和栅极驱动电路12A进行电绝缘的电路。作为绝缘电路14A，如图所示，能用具备发光二极管14A1和光电晶体管14A2的光耦合器来构成。[0029]在分压电路16A中，设有由多个阻抗元件串联连接而成的阻抗元件群16e。在图1中，例示出了串联连接的四个电阻元件16e1、16e2、16e3、16e4。[0030]另外，分压电路16A上设有作为两个连接端子的集电极连接端子16A1和发射极连接端子16A2、作为一个输出端子的分压电压输出端子16A3、以及作为一个输入端子的发射极输入端子16A4。电阻元件16el的一端与集电极连接端子16A1进行连线，电阻元件16e4的一端分别与发射极连接端子16A2和发射极输入端子16A4进行连线，电阻元件16e3与电阻元件16e4之间的连接点与分压电压输出端子16A3进行连线。即，在图1的结构中，将电阻元件16e4上所生成的分压电压施加于分压电压判定部12A4。[0031]图3示出了分压电路16A的一个结构例，在分压电路基板16K上配置阻抗元件群16e后，为了易于设置端子，用U字形的电气布线来对电阻元件间进行连线，在该电气布线上设置集电极连接端子16A1、发射极连接端子16A2、分压电压输出端子16A3和发射极输入端子16A4,从而将图1的电路结构具体化。[0032]另外，分压电路16A如图5所示，搭载于功率用半导体模块10A。此时，构成为集电极连接端子16A1与功率用半导体模块10A的集电极辅助端子10A3进行电连接，另外，发射极连接端子16A2与功率用半导体模块10A的发射极辅助端子10A5进行电连接。此外，分压电路16A的分压电压输出端子16A3与栅极驱动电路基板12K的分压电压输入端子12A6a通过分压电压信号布线即信号布线18A1进行连接，功率用半导体模块10A的栅极辅助端子10A4与栅极驱动电路基板12K的栅极输出端子12A6b通过栅极信号布线即信号布线18A2进行连接，分压电路16A的发射极输入端子16A4与栅极驱动电路基板12K的发射极输出端子12A6c通过发射极信号布线即信号布线18A3进行连接。利用这些结构，可将图1所示的电路结构具体化。[0033]此外，也可以串联连接电容器或二极管代替电阻元件来构成阻抗元件群16e。另外，并不限于电阻元件、电容器或二极管的串联连接，也可以串联连接电阻元件、电容器或二极管的并联电路。另外，也可以将电阻元件、电容器和二极管中的至少两个进行组合来构成。[0034]另外，在图1中，示出了对电阻元件16e4所生成的分压电压进行检测的示例，但也可以根据分压电压判定部1M4的输入耐压来增大分压电压。例如，也可以获取电阻元件16e3、16e4所生成的电压、即电阻元件16e3、16e4的两端电压以作为分压电压。[0035]接着，对实施方式1所涉及的功率转换装置的主要部分动作进行说明。[0036]首先，开关信号生成部20生成用于驱动功率用半导体模块10A的开关信号并输出至绝缘电路14A。[0037]作为来自开关信号生成部20的开关信号，若将例如用于将功率用半导体模块10A控制为导通的指令信号（以下称为“导通指令信号”）输入绝缘电路14A，则发光二极管14A1点亮，光电晶体管14A2变为导通状态。另外，作为来自开关信号生成部20的开关信号，若将例如用于将功率用半导体模块10A控制为截止的指令信号（以下称为“截止指令信号”）输入绝缘电路14A，则发光二极管14A1熄灭，光电晶体管14A2变为非导通状态。由此，来自开关信号生成部20的导通指令信号及截止指令信号作为因光电晶体管14A2的导通状态的变化而引起的电流变化被栅极驱动电路12A的开关速度切换部12A3所识别。[0038]分压电路16A生成分压电压并将该分压电压输出至栅极驱动电路12A，所述分压电压通过对施加于功率用半导体模块10A的主端子间的电压、即功率用半导体模块10A的第1主端子即集电极主端子10A1与功率用半导体模块10A的第2主端子即发射极主端子10A2之间的电压进行分压而得。[0039]将分压电路16A所生成的分压电压输入至栅极驱动电路12A的分压电压判定部12A4。如上所述，分压电压判定部12A4生成表示分压电压高于或低于基准电压的判定信号，并将其输出至开关速度切换部2A3。[0040]开关速度切换部12A3基于来自分压电压判定部12A4的判定信号和来自绝缘电路14A的指令信号，来切换功率用半导体模块10A的驱动速度。切换功率用半导体模块10A的驱动速度时的动作的详细情况如下所述。[0041]首先，在加快使功率用半导体模块10A导通时的速度的情况下，将第1导通用晶体管12Ala及第2导通用晶体管12Alc双方控制为导通，并将第1截止用晶体管UAlb及第2截止用晶体管12Ald双方控制为截止。若将第1导通用晶体管12Ala及第2导通用晶体管WAlc双方控制为导通，则栅极电阻12A2a、12A2c双方并联连接至第1信号输入端子10A3,栅极电阻变小，开关速度变快。[0042]另一方面，在减慢使功率用半导体模块10A导通时的速度的情况下，仅将第1导通用晶体管12Ala及第2导通用晶体管12Alc中的任一方控制为导通，并将第1截止用晶体管12Alb及第2截止用晶体管12Ald双方控制为截止。例如，若仅将第1导通用晶体管控制为导通，则仅栅极电阻12A2a连接至第1信号输入端子10A3,栅极电阻变大，开关速度变慢。[0043]另外，在加快使功率用半导体模块10A截止时的速度的情况下，将第1导通用晶体管12Ala及第2导通用晶体管12Alc双方控制为截止，并将第1截止用晶体管12Alb及第2截止用晶体管12Ald双方控制为导通。若将第1截止用晶体管l2Alb及第2截止用晶体管12Ald双方控制为导通，则栅极电阻12A2b、12A2d双方并联连接至第1信号输入端子l〇A3,栅极电阻变小，开关速度变快。[0044]另外，在减慢使功率用半导体模块10A截止时的速度的情况下，将第1导通用晶体管12Ala及第2导通用晶体管12Alc双方控制为截止，并仅将第1截止用晶体管12Alb及第2截止用晶体管12Ald中的任一方控制为导通。例如，若仅将第1截止用晶体管12Alb控制为导通，则仅栅极电阻12A2b连接至第1信号输入端子10A3，栅极电阻变大，开关速度变慢。[0045]此外，上述控制是一个示例，并不局限于这些控制。例如，在使用电阻值比栅极电阻12A2a要小的栅极电阻12A2c来减慢使功率用半导体模块l〇A导通时的速度的情况下，可以将连接至具有相对较大的电阻值的栅极电阻12A2a的第1导通用晶体管12A1a控制为导通，在加快使功率用半导体模块10A导通时的速度的情况下，可以将连接至具有相对较小的电阻值的栅极电阻12A2c的第2导通用晶体管12Alc控制为导通。另外，例如，在使用电阻值比栅极电阻l2A2b要小的栅极电阻l2A2d来减慢使功率用半导体模块l〇A截止时的速度的情况下，可以将连接至具有相对较大的电阻值的栅极电阻12A2b的第1截止用晶体管12Alb控制为导通，在加快使功率用半导体模块10A截止时的速度的情况下，可以将连接至具有相对较小的电阻值的栅极电阻12A2d的第2截止用晶体管12Ald控制为导通。[0046]根据实施方式1所涉及的功率转换装置，用基板来构成具备多个阻抗元件的分压电路，将分压电路基板搭载于功率用半导体模块来构成，因此，能确保可承受振动的机械性强度。[0047]另外，根据实施方式1所涉及的功率转换装置，构成为在分压电路基板上设置用于获取分压电压的分压电压输出端子，将构成阻抗元件群的阻抗元件中的任意的阻抗元件所产生的电压经由分压电压输出端子输入至栅极驱动电路，因此，能容易地将生成分压电压的阻抗元件的常数进行变更。[0048]实施方式2.图6是表示实施方式2所涉及的功率转换装置的主要部分结构的电路图，图7是表示实施方式2的功率转换装置中的分压电路基板16K与栅极驱动电路基板12K之间的连线例的立体图。在图6和图7所示的实施方式2所涉及的功率转换装置中，将图1所示的实施方式1所涉及的功率转换装置中通过信号布线18A2来将栅极驱动电路12A的栅极输出端子12A6b与功率用半导体模块10A的栅极辅助端子i〇A4之间进行连线的结构变更为经由分压电路16A来进行连线的结构。[0049]如图7所示，分压电路基板16K上设有栅极连接端子16A5和栅极输入端子16A6。栅极连接端子16A5与栅极输入端子16A6在基板上进行连接。栅极输入端子16A6通过信号布线18A2与栅极输出端子UAeb进行连线。此外，关于其他结构，与图1相同或等同，对相同或等同的结构部标注相同的标号来示出，并省略重复说明。[0050]根据实施方式2所涉及的功率转换装置，在搭载于功率用半导体模块的分压电路基板上，将实施方式1中存在两处的与栅极驱动电路之间的连接部位增加至实施方式2中的三处，因此，可获得能将机械性强度提高得比实施方式1要高的效果。[0051]实施方式3.图8是表示实施方式3的功率转换装置中的分压电路基板16K与栅极驱动电路基板12K之间的连线例的立体图。是表示所涉及的功率转换装置的主要部分结构的电路图。在图8所示的实施方式3所涉及的功率转换装置中，采用以下结构:在图7所示的实施方式2所涉及的功率转换装置中，将栅极驱动电路基板1¾与分压电路基板16K之间连接的信号布线18A1、18A2、18A3收纳于绝缘管22的内部。此外，关于其他结构，与图7相同或等同，对相同或等同的结构部标注相同的标号来示出，并省略重复说明。[0052]图9至图I2是表示将信号布线收纳于绝缘管的多种方式实施例卜实施例3的剖视图。[0053]首先，图9是实施例1。在图9所示的结构中，绝缘管22A的内部收纳有第1信号布线22Ala、第2信号布线22A2a和第3信号布线MAh这三个信号布线。第丨信号布线22Ala、第2信号布线22A2a和第3信号布线MA3a为了在信号布线彼此接触的情况下也分别确保绝缘，分别被第1信号布线被覆22Alb、第2信号布线被覆22A2b和第3信号布线被覆22A3b所覆盖。此外，在图9中，各信号布线间可看到间隙，但可以用填充物等来填补空隙从而将各信号布线进行固定，也可以将绝缘管22A进行挤压来固定各信号布线。[00M]根据实施例1，能将用作为分压电压信号布线的第1信号布线22Ala、用作发射极信号布线的第3信号布线22A：3a靠近配置，因此，能将包围第1信号布线22AlaBl和第3信号布线22A3a的布线环路抑制得较小，抑制第1信号布线22Ala与第3信号布线22A3a之间的寄生电感，因此，能提高从分压电路基板16K传送至栅极驱动电路12A的分压电压的信号质量。[0055]图10是实施例2。在如图10所示的结构中，是对第1信号布线22B1、第2信号布线22B2和第3信号布线22B3整体实施被覆而不是对收纳于绝缘管22B内部的第1信号布线22B1、第2信号布线22B2和第3信号布线MB3分别实施被覆的实施例。即，在实施例2中，构成为将对第1彳目号布线22B1、第2彳目号布线22B2和第3信号布线22B3的周围进行覆盖的被覆22B4、以及构成绝缘管22B的筒状部进行一体化。[0056]根据实施例2,由于第1信号布线22B1、第2信号布线22B2和第3信号布线22B3刚性地保持于绝缘管22B的内部，因此，除了实施例1的效果以外，还能进一步强化可承受振动的机械性强度。[0057]此外，图11是表示实施例2的变形例的图。如图11所示，对第!信号布线22B1、第2信号布线22B2和第3信号布线22B3的周围进行覆盖的被覆22B4、以及构成绝缘管的筒状部22B5也可以用不同的构件来构成。[0058]图12是实施例3。在图12所示的结构中，采用了以下结构:收纳于绝缘管22C内部的第1信号布线2沈1、第2信号布线22以和第3信号布线22C3中，用筒状来构成第2信号布线22：2,将第1信号布线22C1和第3信号布线22C3收纳于第2信号布线22C2的内部，并对第1信号布线22C1和第3信号布线22C3实施共通的被覆22C4。[0059]根据实施例3,由于第1信号布线MCI、第2信号布线22C2和第3信号布线22C3刚性地保持于绝缘管2况的内部，因此，除了实施例1的效果以外，还能进一步强化可承受振动的机械性强度。[0060]另外，在将功率转换装置控制为高速时，由于栅极信号布线上承载有高速的开关信号栅极驱动信号），因此容易受到表皮效应的影响。在实施例3中，将用作为栅极信号布线的第2信号布线22C2设为筒状构造，因此，可获得不容易受到表皮效应影响的进一步的效果。[0061]实施方式4.在实施方式4中，对使用2inl二合一模块来作为构成功率转换电路的功率用半导体模块的情况进行说明。[0062]图I3是表示实施方式4所涉及的功率转换装置的主要部分结构的电路图。另外，图lj至图17的各图是表示实施方式4的功率转换装置中的主要部分的结构的立体图，图14表不功率用半导体模块50的端子部的配置例，图I5表示分压电路16的结构例，图16表示栅极驱动电路12A、12B的端子部的配置例，图I7表示如图14至图16那样构成的栅极驱动电路基板12AK、12BK与分压电路基板服间的连线例。此外，图14至图17的结构是一个示例，并不局限于该各图的结构例。[0063]在图I3中，功率用半导体模块5〇是将由晶体管元件50Aa与二极管元件50Ab并联连接而成的第1半导体开关元件、以及由晶体管元件5〇Ba与二极管元件50Bb并联连接而成的第2半导体开关元件串联连接并收纳于模块内而形成的2inl模块。第1半导体开关元件构成P侧臂，第2半导体开关元件构成N侧臂。此外，作为晶体管元件50Aa、50Ba，例示出了如图I3所示的IGBT，但并不局限于IGBT。此外，根据负载的特性，例如在电阻负载的情况下，有时省略二极管元件50Ab、50Bb的连接。[0064]在功率用半导体模块50中设有:作为高电位侧主端子的P侧主端子50P;作为低电位侧主端子的N侧主端子50N;作为用于与省略图示的负载进行连接的交流主端子的AC主端子50AC;作为第1信号输入端子的P侧集电极辅助端子50A3;作为第2信号输入端子的P侧栅极辅助端子50A4;作为第3信号输入端子的P侧集电极辅助端子50A5;作为第4信号输入端子的柯则集电极辅助端子50B3;作为第5信号输入端子的N侧栅极辅助端子50B4;以及作为第6信号输入端子的N侧发射极辅助端子50B5。[0065]P侧主端子50P、N侧主端子50N、AC主端子50AC、P侧集电极辅助端子50A3、P侧栅极辅助端子50A4、P侧发射极辅助端子50A5、N侧集电极辅助端子50B3、N侧栅极辅助端子50B4以及N侧发射极辅助端子50B5的配置例如图14所示。根据图14,在模块壳体50S的一个主面侧配置有P侧主端子50P、N侧主端子50N、AC主端子50AC、P侧集电极辅助端子50A3、P侧栅极辅助端子50A4、P侧发射极辅助端子50A5、N侧集电极辅助端子50B3、N侧栅极辅助端子50B4以及N侧发射极辅助端子50B5。[0066]P侧主端子50P配置于模块壳体50S的角部。N侧主端子50N以P侧主端子50P为基准，配置于与模块壳体50S的长边方向正交的方向的相反侧的角部。[0067]P侧集电极辅助端子50A3、P侧栅极辅助端子50A4、P侧发射极辅助端子50A5配置在模块壳体50S的中央部，并以P侧主端子50P为基准沿模块壳体50S的长边方向按照P侧集电极辅助端子50A3、P侧发射极辅助端子50A5、P侧栅极辅助端子50A4的顺序进行配置。此外，P侧栅极辅助端子50A4与P侧发射极辅助端子50A5之间的间隔比P侧集电极辅助端子50A3与P侧发射极辅助端子50A5之间的间隔要窄。[0068]N侧集电极辅助端子50B3、N侧栅极辅助端子50B4、N侧发射极辅助端子50B5配置在模块壳体50S的中央部，并以N侧主端子50N为基准沿模块壳体50S的长边方向按照N侧栅极辅助端子50B4、N侧发射极辅助端子50B5、N侧集电极辅助端子50B3的顺序进行配置。此外，N侧栅极辅助端子50B4与N侧发射极辅助端子50B5之间的间隔比N侧集电极辅助端子50B3与N侧发射极辅助端子50B5之间的间隔要窄。[0069]AC主端子50AC具有沿与模块壳体50S的长边方向正交的方向横向较长的形状，在配置有P侧主端子50P和N侧主端子50N的边的相反侧的边上，AC主端子50AC的长边方向成为与模块壳体50S的长边方向正交的方向。[0070]此外，图14的配置例是一个示例，不言而喻也允许其他配置例。[0071]返回图13,栅极驱动电路12A是对构成功率用半导体模块50的功率用半导体开关元件中构成P侧臂的第1半导体开关元件（晶体管元件50Aa进行驱动的第1栅极驱动电路，栅极驱动电路12B是对构成功率用半导体模块50的功率用半导体开关元件中构成N侧臂的第2半导体开关元件晶体管元件50Ba进行驱动的第2栅极驱动电路。[0072]此外，栅极驱动电路12A的结构与图6所示的实施方式2的结构相同或等同，对相同或等同的结构部标注相同的标号，省略重复说明。[0073]另外，栅极驱动电路12B的结构也与栅极驱动电路12A相同，采用与栅极驱动电路12A相同的结构，并设有分压电压输入端子l2B6a、栅极输出端子12B6b和发射极输出端子12B6c〇[0074]图16分别示出了栅极驱动电路12A、12B中的端子部的配置例。在栅极驱动电路12A侧，在电路基板12AK上设有分压电压输入端子12A6a、栅极输出端子12A6b以及发射极输出端子12A6c，在栅极驱动电路12B侧，在电路基板12BK上设有分压电压输入端子12B6a、栅极输出端子12B6b以及发射极输出端子12B6c，由此将图13的电路结构具体化。此外，电路基板12AK可以是与搭载栅极驱动电路12A的电路基板相同的基板，也可以是不同的基板。以下也将电路基板称为“栅极驱动电路基板”。[0075]返回图13,绝缘电路14A是将开关信号生成部20与栅极驱动电路12A电绝缘的电路，绝缘电路14B是将开关信号生成部20与栅极驱动电路12B电绝缘的电路。绝缘电路14A、14B的结构与图6所示的绝缘电路14A的结构相同或等同，这里省略进一步的说明。[0076]分压电路16上设有用于对P侧臂上的主端子间电压进行检测的阻抗元件群16eA、以及用于对N侧臂上的主端子间电压进行检测的阻抗元件群16eB。此外，阻抗元件群16eA的结构和连接与图6相同或等同，这里，对阻抗元件群16eB进行说明。[0077]作为阻抗元件群16eB，在图13中，例示出了串联连接的四个电阻元件16e5、16e6、16e7、16e8〇[0078]分压电路16上设有图6所示的集电极连接端子16A1、发射极连接端子16A2、分压电压输出端子16A3、发射极输入端子16A4、栅极连接端子16A5和栅极输入端子16A6,并设有用于与构成栅极驱动电路123或对则臂的晶体管元件50Ba进行连接的集电极连接端子16B1、发射极连接端子16B2、分压电压输出端子16B3、发射极输入端子16B4、栅极连接端子16B5以及栅极输入端子16B6。电阻元件16e5的一端与集电极连接端子16B1进行连线，电阻元件16e8的一端分别与发射极连接端子16B2和发射极输入端子16B4进行连线，电阻元件16e7与电阻元件16e8之间的连接点与分压电压输出端子16B3进行连线。即，在图13的结构中，将电阻元件16e8上所生成的分压电压施加于栅极驱动电路12B。[0079]图15示出了分压电路16的一个结构例，在分压电路基板16K上分别配置阻抗元件群16eA、16eB后，通过U字形电气布线将电阻元件间进行连线，使得容易设置端子。若具体说明，则在将阻抗元件群16eA的电阻元件间进行连线的电气布线上设有集电极连接端子16A1、发射极连接端子16A2、分压电压输出端子16A3、发射极输入端子16A4、栅极连接端子16A5和栅极输入端子16A6,并且在将阻抗元件群16eB的电阻元件间进行连线的电气布线上设有集电极连接端子16B1、发射极连接端子16B2、分压电压输出端子16B3、发射极输入端子16B4、栅极连接端子16B5以及栅极输入端子16B6，由此将图13的电路结构具体化。[0080]另外，分压电路16如图17所示，搭载于功率用半导体模块50。此时，构成为集电极连接端子16A1与功率用半导体模块50的P侧集电极辅助端子50A3进行电连接，发射极连接端子16A2与功率用半导体模块50的P侧发射极辅助端子50A5进行电连接，栅极连接端子16A5与功率用半导体模块50的P侧栅极辅助端子50A4进行电连接，另外，集电极连接端子16B1与功率用半导体模块50的N侧集电极辅助端子50B3进行电连接，发射极连接端子16B2与功率用半导体模块5〇的N侧发射极辅助端子50B5进行电连接，栅极连接端子16B5与功率用半导体模块50的N侧栅极辅助端子50B4进行电连接。[0081]此外，分压电路16的分压电压输出端子16A3与栅极驱动电路基板12AK的分压电压输入端子12A6a通过信号布线1SA1进行连接，分压电路16的栅极输入端子16A6与栅极驱动电路基板12AK的栅极输出端子12A6b通过信号布线18A2进行连接，分压电路16的发射极输入端子16A4与栅极驱动电路基板12AK的发射极输出端子12A6c通过信号布线18A3进行连接，分压电路16的分压电压输出端子1仙3与栅极驱动电路基板12BK的分压电压输入端子12B6a通过信号布线18B1进行连接，分压电路16的栅极输入端子16B6与栅极驱动电路基板12BK的栅极输出端子12B6b通过信号布线18B2进行连接，分压电路16的发射极输入端子16B4与栅极驱动电路基板12BK的发射极输出端子12B6c通过信号布线18B3进行连接。利用以上结构，可将图13所示的电路结构具体化。[0082]此外，也可以串联连接电容器或二极管代替电阻元件来构成阻抗元件群16e。另外，并不限于电阻元件、电容器或二极管的串联连接，也可以串联连接电阻元件、电容器或二极管的并联电路。另外，也可以将电阻元件、电容器和二极管中的至少两个进行组合来构成。[0083]另外，在图13中，示出了对电阻元件16e4、16e8所生成的分压电压进行检测的示例，但也可以根据分压电压判定部12A4、12B4的输入耐压来增大分压电压。例如，也可以获取电阻元件16e3、16e4的两端电压和电阻元件16e7、16e8的两端电压以作为各自的分压电压。[0084]此外，栅极驱动电路12A、12B基于分压电路16所生成的分压电压来切换开关速度的动作与实施方式1相同，这里省略详细说明。[0085]如以上所说明的那样，即使功率用半导体模块是2inl模块，也能适用本发明。[0086]此外，在实施方式3中，公开了分压电路基板16K上设有栅极连接端子16A5、16B5和栅极输入端子16A6、16B6的结构，但也可以与图1所示的实施方式1相同，采用不设有栅极连接端子16A5、16B5和栅极输入端子16A6、16B6的结构。在这种情况下，也可以通过信号布线18A2来连接栅极驱动电路12A的栅极输出端子12A6b与功率用半导体模块50的P侧栅极辅助端子50A4,通过信号布线18B2来连接栅极驱动电路12B的栅极输出端子12B6b与功率用半导体模块50的N侧栅极辅助端子50B4。但是，在该结构的情况下，分压电路基板16K与栅极驱动电路12A、12B之间的连接部位为四处，而与栅极驱动电路12A、12B之间的连接部位为六处的图13和图17所示的结构的机械性强度更高。[0087]另外，在实施方式1〜4中，对功率用半导体模块为linl—合一模块和2inl模块的情况进行了说明，但本发明并不局限于此。例如即使功率用半导体模块是4inl四合一）模块、6inl六合一模块等，也能适用本发明。[0088]实施方式5.图18是表示实施方式5所涉及的功率转换装置的主要部分结构的电路图，图19是表示实施方式5的功率转换装置中的分压电路基板16K与栅极驱动电路基板12AK、12BK之间的连线例的立体图。在图18和图19所示的实施方式5所涉及的功率转换装置中，采用以下结构：在图13和图17所示的实施方式4所涉及的功率转换装置中，增加搭载于分压电路基板16Kf的阻抗元件的数量，以增加传送至栅极驱动电路12A、12B的分压电压的信息。此外，由于采用了增加分压电压的信息的结构，因此，如图17所示，栅极驱动电路12A中设有分压电压判定部12A4a、12A4b，栅极驱动电路12B中设有分压电压判定部12B4a、12B4b。另外，在栅极驱动电路基板12AK中，还设有分压电压输入端子12A6d，在栅极驱动电路基板12BK中，还设有分压电压输入端子12B6d。另外，分压电压输出端子16A7与分压电压输入端子12A6d通过分压电压信号布线即信号布线18A4进行连接，分压电压输出端子16B7与分压电压输入端子12B6d通过分压电压信号布线即信号布线18B4进行连接。[0089]在图18所示的实施方式5所涉及的分压电路16中，在具有阻抗元件群16eA、16eB的图I3的结构中，还设有具备串联连接的四个电阻元件^^、^^、^^、^以的阻抗元件群17e、以及具备串联连接的八个电阻元件1861、1862、1863、1864、1865、1866、1867、1868的阻抗元件群18e。另外，分压电路ie中除了分压电压输出端子16A3、16B3以外，还设有分压电压输出端子16A7、16B7。[0090]在阻抗元件群He中，电阻元件17el的一端分别与发射极连接端子16A2和发射极输入端子16A4进行连线，电阻元件17e4的一端分别与发射极连接端子16B2和发射极输入端子1GB4进行连线，电阻元件17el与电阻元件17e2之间的连接点与分压电压输出端子16A3进行连线。即，在图18的结构中，将电阻元件17el上所生成的分压电压施加于分压电压判定部12A4a。[OO91]另外，在阻抗元件群18e中，电阻元件18el的一端与集电极连接端子16A1进行连线，电阻元件18e8的一端分别与发射极连接端子16B2和发射极输入端子16B4进行连线，电阻元件18e7与电阻元件18e8之间的连接点与分压电压输出端子16B7进行连线。即，在图18的结构中，将电阻元件17e8上所生成的分压电压施加于分压电压判定部12B4b。[0092]此外，在图18的结构中，将阻抗元件群l6eA的电阻元件16e4上所生成的分压电压施加于分压电压判定部12A4b，将阻抗元件群16eB的电阻元件16e8上所生成的分压电压施加于分压电压判定部12B4a。[0093]根据实施方式5所涉及的功率转换装置，由于构成为使得传送至栅极驱动电路的分压电压的彳目息增加，因此，例如在负载正在进行拉出（source动作的情况或负载正在进行灌入sink动作的情况下，能对半导体开关元件从导通切换至截止或从截止切换至导通的各种动作状态时的主端子间的电压进行检测，因此，可获得能扩大对开关速度进行切换控制的范围这一效果。[0094]另外，根据实施方式5所涉及的功率转换装置，在搭载于功率用半导体模块的分压电路基板上，将实施方式4中存在六处的与栅极驱动电路之间的连接部位增加至实施方式5中的八处，因此，可获得能将机械性强度提高得比实施方式4要高的效果。[0095]另外，在实施方式5的结构中，也可以构成为将连接栅极驱动电路基板i2AK、12BK与分压电路基板16K之间的信号布线18A1〜18A4和信号布线18B1〜18B4与实施方式3同样地收纳于绝缘管的内部。根据像这样的结构，信号布线18A1〜18A4和信号布线18B1〜18B4刚性，保持于绝缘管的内部，因此，能进一步强化可承受振动的机械性强度。另外，由于将包围信号布线18A1〜1M4的各信号布线彼此间和信号布线18B1〜18B4的各信号布线彼此间的布线环路抑制得较小，因此，能抑制各信号布线间的寄生电感，能提高从分压电路基板16传送至栅极驱动电路12A、12B的分压电压的信号质量。[0096]另外，以上的实施方式所示的结构示出本发明内容的一个示例，可以与其他公知的技术进行组合，在不脱离本发明要点的范围内，也可以省略、变更结构的一部分。标号说明[0097]l〇A、5〇功率用半导体模块10Aa、50Aa、50Ba晶体管元件10Ab、50Ab、50Bb二极管元件10S模块壳体10A1集电极主端子第1主端子）10A2发射极主端子第2主端子）10A3集电极辅助端子第1信号输入端子）10A4栅极辅助端子第2信号输入端子）10A5发射极辅助端子第3信号输入端子）12A栅极驱动电路第1栅极驱动电路）12B栅极驱动电路第2栅极驱动电路）12Ala第1导通用晶体管12Alb第1截止用晶体管12Alc第2导通用晶体管12Ald第2截止用晶体管12A2a、12A2b、12A2c、12A2d栅极电阻12A3开关速度切换部12A4、12B4、12A4a、12A4b、12B4a、12B4b分压电压判定部12A5动作电源12A5a、12A5b电容器12A6a、12A6d、12B6a、12B6d分压电压输入端子12A6b栅极输出端子12A6c发射极输出端子12K、12AK、12BK电路基板栅极驱动电路基板）14A、14B绝缘电路14A1发光二极管14A2光电晶体管16、16A分压电路16K分压电路基板16A1、16B1集电极连接端子16A2、16B2发射极连接端子16A3、16B3、16A7、16B7分压电压输出端子16A4、16B4发射极输入端子16A5、16B5栅极连接端子16A6、16B6栅极输入端子16e、16eA、16eB、17e、18e阻抗元件群16el〜16e8、17el〜17e4、18el〜18e8电阻元件18A1信号布线分压电压信号布线）18A2信号布线栅极信号布线）18A3信号布线发射极信号布线）18A4信号布线分压电压信号布线）18B4信号布线分压电压信号布线）20开关信号生成部22、22A、22B、22C绝缘管22Ala、22Bl、22Cl第1信号布线22A2a、22B2、22C2第2信号布线22A3a、22B3、22C3第3信号布线22Alb第1信号布线被覆22A2b第2信号布线被覆22A3b第3信号布线被覆22B4、22C4被覆22B5筒状部50A3P侧集电极辅助端子第1信号输入端子）50A4P侧栅极辅助端子第2信号输入端子）50A5P侧发射极辅助端子第3信号输入端子）50B3N侧集电极辅助端子第4信号输入端子）50B4N侧栅极辅助端子第5信号输入端子）50B5N侧发射极辅助端子第6信号输入端子）50ACAC主端子50PP侧主端子50NN侧主端子50S模块壳体

权利要求：1.一种功率转换装置，该功率转换装置构成为包括:功率用半导体模块，该功率用半导体模块收纳有一个或多个功率用半导体开关元件；以及栅极驱动电路，该栅极驱动电路对所述功率用半导体开关元件进行驱动，所述功率转换装置的特征在于，所述功率用半导体模块具有：第1主端子和第1信号输入端子，该第1主端子和第1信号输入端子与所述功率用半导体开关元件的集电极电位或漏极电位进行连接；_第2信号输入端子，该第2信号输入端子与所述功率用半导体开关元件的栅极电位进行连接;以及第2主端子和第3信号输入端子，该第2主端子和第3信号输入端子与所述功率用半导体开关元件的发射极电位或源极电位进行连接，所述功率转换装置具有分压电路基板，该分压电路基板生成对所述第1信号输入端子与所述第3信号输入端子之间的电压进行检测而得的分压电压，并传送至所述栅极驱动电路，所述分压电路基板与所述第1信号输入端子和所述第3信号输入端子进行电连接从而搭载于所述功率用半导体模块，所述栅极驱动电路根据所述分压电路基板所输出的分压电压来变更所述功率用半导体开关元件的驱动速度。2.如权利要求1所述的功率转换装置，其特征在于，所述分压电路基板除了与所述第1信号输入端子和所述第3信号输入端子进行电连接以外，还与所述第2信号输入端子进行电连接来进行搭载。3.如权利要求1或2所述的功率转换装置，其特征在于，将所述第1信号输入端子与所述第3信号输入端子之间的分压电压从所述分压电路基板传送至所述栅极驱动电路的布线、以及所述栅极驱动电路驱动所述功率用半导体开关元件的布线收纳于同一绝缘管中。4.一种功率转换装置，该功率转换装置构成为包括:功率用半导体模块，该功率用半导体模块收纳有多个功率用半导体开关元件；以及栅极驱动电路，该栅极驱动电路对所述功率用半导体开关元件进行驱动，所述功率转换装置的特征在于，所述功率用半导体模块具有被施加高电位侧的电压的上侧功率用半导体开关元件和被施加低电位侧的电压的下侧功率用半导体开关元件，并且还具有：第1主端子和第1信号输入端子，该第1主端子和第1信号输入端子与所述上侧功率用半导体开关元件的集电极电位或漏极电位进行连接；第2信号输入端子，该第2信号输入端子与所述上侧功率用半导体开关元件的栅极电位进行连接；交流主端子、第3信号输入端子和第4信号输入端子，该交流主端子、第3信号输入端子和第4彳目号输入4而子与所述上侧功率用半导体开关兀件的发射极电位或源极电位、以及所述下侧功率用半导体开关元件的集电极电位或漏极电位双方进行连接；第5信号输入端子，该第5信号输入端子与所述下侧功率用半导体开关元件的栅极电位进行连接;以及第2主端子和第6信号输入端子，该第2主端子和第6信号输入端子与所述下侧功率用半导体开关元件的发射极电位或源极电位进行连接，所述栅极驱动电路构成为具有：第1栅极驱动电路，该第1栅极驱动电路对所述上侧功率用半导体开关元件进行驱动；以及第2栅极驱动电路，该第2栅极驱动电路对所述下侧功率用半导体开关元件进行驱动，所述功率转换装置具有分压电路基板，该分压电路基板生成对所述第1信号输入端子与所述第3信号输入端子间的电压进行检测而得的分压电压并传送至所述第1栅极驱动电路，并且生成对所述第4信号输入端子与所述第6信号输入端子间的电压进行检测而得的分压电压并传送至所述第2栅极驱动电路，所述分压电路基板与所述第1信号输入端子、所述第3信号输入端子、所述第4信号输入端子和所述第6信号输入端子进行电连接从而搭载于所述功率用半导体模块，所述第1栅极驱动电路根据所述分压电路基板所输出的分压电压来变更所述上侧功率用半导体开关元件的驱动速度，所述第2栅极驱动电路根据所述分压电路基板所输出的分压电压来变更所述下侧功率用半导体开关元件的驱动速度。5.如权利要求4所述的功率转换装置，其特征在于，所述分压电路基板除了与所述第1信号输入端子、所述第3信号输入端子、所述第4信号输入端子和所述第6信号输入端子进行电连接以外，还与所述第2信号输入端子和所述第5信号输入端子进行电连接来进行搭载。6.如权利要求4或5所述的功率转换装置,其特征在于，将所述第1信号输入端子与所述第3信号输入端子之间的分压电压从所述分压电路基板传送至所述第1栅极驱动电路的布线、以及所述第1栅极驱动电路驱动所述上侧功率用半导体开关元件的布线收纳于同一绝缘管中，并且，将所述第4信号输入端子与所述第6信号输入端子之间的分压电压从所述分压电路基板传送至所述第2栅极驱动电路的布线、以及所述第2栅极驱动电路驱动所述下侧功率用半导体开关元件的布线收纳于同一绝缘管中。7.如权利要求5或6所述的功率转换装置，其特征在于，所述分压电路基板将对所述第3信号输入端子与所述第6信号输入端子间的电压进行分压而得的分压电压传送至所述第1栅极驱动电路，将对所述第丨信号输入端子与所述第6信号输入端子间的电压进行分压而得的分压电压传送至所述第2栅极驱动电路。

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