申请/专利权人：上海奕瑞光电子科技股份有限公司

申请日：2020-04-01

公开（公告）日：2020-07-24

公开（公告）号：CN111447386A

主分类号：H04N5/374(20110101)

分类号：H04N5/374(20110101);H04N5/369(20110101);H04N5/32(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态：2023.07.21#发明专利申请公布后的驳回;2020.08.18#实质审查的生效;2020.07.24#公开

摘要：本申请提供基于CMOSIC的探测器阵列和TDI‑CMOS线阵探测器的叠层结构，利用CMOSsensor工艺，其可高度集成光电转换、模拟信号读出和AD转换等功能，实现芯片级的高速处理，配合外围的驱电路和信号处理电路，实现不同TDI级数的时间延迟积分，解决了传统CCD图像传感器技术的集成化问题。提高信噪比的同时，可以降低球管出射能量，降低球管功耗，提升整机系统稳定性。此外，基于TDI‑CMOS技术方法，可以兼容不同的像素尺寸设计要求，如通过binning方式进行像素尺寸扩大化，对应不同空间分辨率的要求，通过ROI方式，可以实现不同的探测宽度和延迟积分级数，这些特点使得产品具有高度的适用性和兼容性，整体硬件成本低，具备可观的市场应用价值和突出的产品竞争力。

主权项：1.一种基于CMOSIC的探测器阵列，其特征在于，包括：n行m列CMOS像素单元，用于在接收到X射线后激发出可见光，并将可见光的光信号转换成电信号；n行m列积分单元阵列组，对应耦接所述n行m列CMOS像素单元，用于对不同行的累加的积分电荷进行延迟积分；一行m列列并行ADC单元组，对应耦接所述n行m列积分单元阵列组，用于对所述n行m列积分单元阵列组逐行进行模数转换；其中，n行m列CMOS像素单元进行同步曝光累积电荷并进行逐行采集；每一次曝光过程，整个面阵的所有行的像素单元中会产生相应的曝光电荷，通过行选择驱动电路，进行电荷信号的逐行读取。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海奕瑞光电子科技股份有限公司 基于CMOS IC的探测器阵列和TDI-CMOS线阵探测器的叠层结构

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