申请/专利权人：林杰

申请日：2020-03-16

公开（公告）日：2020-07-24

公开（公告）号：CN111446173A

主分类号：H01L21/48(20060101)

分类号：H01L21/48(20060101);G09F9/30(20060101);G02F1/1362(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2020.08.18#实质审查的生效;2020.07.24#公开

摘要：本发明实施例公开了一种布线断线修复工艺，包括：基于气相沉积原理，在基片中ZapHole两侧金属层上由于激光过度损伤造成的损伤缺口内，选择性地形成用于连接基片金属层的钨导电膜，并在钨导电膜上进行EHD‑银墨布线。本发明通过将现有的Zap+INKWiring工艺修复洞+油墨的布线工艺改进为Zap+W钨ContactWiringType+INKWiring修复洞+钨膜定点沉积+油墨的布线工艺，即在现有的ZapHole和INKWiring金属层之间增加金属钨来充当导电媒质，从而在ZapHole表面被钨金属层完全覆盖的情况下，确保银墨溶液的填充效果非常理想，使银墨溶液的液体固化反应结束后可以完整的贴合在钨金属层上部，进而保证Ag布线时，银和基片绝缘层下面的金属层熔接过程中，导电性良好。

主权项：1.一种布线断线修复工艺，其特征在于，所述布线断线修复工艺包括：基于气相沉积方法，在基片中ZapHole两侧金属层上由于激光过度损伤造成的损伤缺口内，选择性地形成用于连接基片金属层的钨导电膜，并在钨导电膜上进行EHD-银墨布线。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 林杰 一种布线断线修复工艺

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