申请/专利权人：深圳镓华微电子有限公司

申请日：2020-04-07

公开（公告）日：2020-09-08

公开（公告）号：CN211455647U

主分类号：H01L21/335(20060101)

分类号：H01L21/335(20060101);H01L29/778(20060101);H01L29/40(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.09.08#授权

摘要：本实用新型提供一种氮化镓MISHEMT结构，包括晶圆，晶圆形成有源极金属、漏极金属以及栅门金属，在源极金属、漏极金属以及栅门金属上方覆盖有第一绝缘介质层，第一绝缘介质层于源极金属以及漏极金属相应位置处分别具有开口并在开口内形成有第一链接金属，第一链接金属上方覆盖有第一源极金属场板以及第一漏极金属场板，第二绝缘介质层覆盖第一源极金属场板、第一漏极金属场板以及露出的第一绝缘介质层，第二绝缘介质层于源极金属以及漏极金属相应位置处分别具有开口并在开口内形成有第二链接金属，第二链接金属表面覆盖有第二源极金属场板以及第二漏极金属场板，在第二源极金属场板和第二漏极金属场板表面覆盖有钝化层，能够有效提高器件抗压性能。

主权项：1.一种氮化镓MISHEMT结构，其特征在于，其包括晶圆，所述晶圆形成有源极金属、漏极金属以及栅门金属，在所述源极金属、漏极金属以及栅门金属上方覆盖有第一绝缘介质层，所述第一绝缘介质层于所述源极金属以及所述漏极金属相应位置处分别具有开口并在开口内形成有第一链接金属，所述第一链接金属上方覆盖有第一源极金属场板以及第一漏极金属场板，第二绝缘介质层覆盖第一源极金属场板、第一漏极金属场板以及露出的第一绝缘介质层，第二绝缘介质层于所述源极金属以及所述漏极金属相应位置处分别具有开口并在开口内形成有第二链接金属，所述第二链接金属表面覆盖有第二源极金属场板以及第二漏极金属场板，在所述第二源极金属场板和所述第二漏极金属场板表面覆盖有钝化层。

全文数据：

权利要求：

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